[发明专利]一种晶体硅各向异性湿法腐蚀方法有效
| 申请号： | 201710127031.7 | 申请日： | 2017-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN108538720B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 彭奎庆;付昊鑫;王江 | 申请（专利权）人： | 北京师范大学 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L31/18 |
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| 地址： | 100875 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 各向异性 湿法 腐蚀 方法 | ||
1.一种晶体硅各向异性湿法腐蚀方法，其特征在于：所述方法按照步骤1、2和3单独进行
(1)将表面清洁的晶体硅片放入氯化铜、盐酸和氢氟酸混合溶液的容器中，在20-90℃下反应10-100分钟，然后将腐蚀后的硅片放入王水溶液里面浸泡去掉表面残存的金属；
(2)将表面清洁的晶体硅片放入硫酸铜、盐酸和氢氟酸混合溶液的容器中，在20-90℃下反应10-100分钟，然后将腐蚀后的硅片放入王水溶液里面浸泡去掉表面残存的金属；
(3)将表面清洁的晶体硅片放入硝酸铜、盐酸和氢氟酸混合溶液的容器中，在20-90℃下反应10-100分钟，然后将腐蚀后的硅片放入王水溶液里面浸泡去掉表面残存的金属。
2.根据权利要求1所述的一种晶体硅各向异性湿法腐蚀方法，所述步骤(1)、(2)和(3)中的晶体硅片是单晶和多晶硅片。
3.根据权利要求1所述的一种晶体硅各向异性湿法腐蚀方法，所述步骤(1)中的氯化铜浓度为0.01-0.2mol/L，盐酸浓度为0.5-3.0mol/L，氢氟酸浓度为0.5-10.0mol/L。
4.根据权利要求1所述的一种晶体硅各向异性湿法腐蚀方法，所述步骤(2)中的硫酸铜浓度为0.01-0.2mol/L，盐酸浓度为0.5-3.0mol/L，氢氟酸浓度为0.5-10.0mol/L。
5.根据权利要求1所述的一种晶体硅各向异性湿法腐蚀方法，所述步骤(3)中的硝酸铜浓度为0.01-0.2mol/L，盐酸浓度为0.5-3.0mol/L，氢氟酸浓度为0.5-10.0mol/L。
6.根据权利要求1所述的一种晶体硅各向异性湿法腐蚀方法，所述步骤(1)、(2)和(3)腐蚀制备的微纳米金字塔阵列可用于硅太阳能电池。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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