[发明专利]电容及制备方法

权利要求书

1.电容制备方法，其特征在于，包括下述步骤：

1)在衬底上刻蚀沟槽；

2)在扩散阻挡层上制备下电极和粘附层，粘附层设置于下电极和扩散阻挡层之间；

3)在下电极的表面沉积介质层，所述介质层的材料包含氧化铪；

4)在介质层表面设置上电极；

5)在上电极设置完成后的沟槽内填充入填充材料；所述填充材料的热膨胀系数大于1.5*10^-5/℃；

6)在沟槽上方覆盖一层表面介质层，所述表面介质层的材料为二氧化硅或氮化硅；

7)在表面介质层上方设置挡光层，所述挡光层在填充材料上方区域设置有透光窗口；

8)加热；

9)去除挡光层、表面介质层和填充材料；

10)退火。

2.如权利要求1所述的电容制备方法，其特征在于，所述步骤5)中，填充材料为有机玻璃、PSO、PFA、聚酰亚胺、PVDF、PE或Zn。

3.如权利要求1所述的电容制备方法，其特征在于，所述步骤5)中，填充材料为PFA，所述步骤8)中，加热温度为180～220℃，加热时间为10～15分钟。

4.如权利要求2所述的电容制备方法，其特征在于，所述步骤10)中，退火温度为400～650℃，升温速度为50℃/s，保持20秒，降温速度为20℃/s。