[发明专利]存储装置有效
申请号: | 201710128165.0 | 申请日: | 2017-03-06 |
公开(公告)号: | CN107564556B | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | 上野広贵;椎野泰洋;兼田明日香 | 申请(专利权)人: | 东芝存储器株式会社 |
主分类号: | G11C16/04 | 分类号: | G11C16/04;G11C16/10;G11C16/34;G11C11/56 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 杨林勋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储 装置 | ||
1.一种存储装置,其特征在于具备:
多个第1单元晶体管;
第2单元晶体管;以及
控制电路,其构成为:
在包含多个循环的编程的期间,
在包含于上述循环的检验中,在对所述第2单元晶体管施加电势的期间内,对所述多个第1单元晶体管施加比施加给所述第2单元晶体管的电势低且不同的多个检验电势;
并在第1循环中对第1参数使用第1值;且
在所述第1循环后且满足第1条件的循环后的第2循环中,对所述第1参数使用所述第1值或不同于所述第1值的第2值。
2.根据权利要求1所述的存储装置,其特征在于:
所述控制电路基于所述多个循环之中的、所述多个第1单元晶体管中的一部分是否超过所述多个检验电势中的第1检验电势的检验通过时的循环编号,在所述第2循环中对所述第1参数选择所述第1值或所述第2值;且
在所述多个第1单元晶体管中的一部分是否超过所述第1检验电势的检验通过时的循环后,进行所述第2循环。
3.根据权利要求2所述的存储装置,其特征在于:
所述多个第1单元晶体管连接于1条字线;
所述第1参数为如下三种参数中的一种:
在1个循环中施加给所述字线的电势与下个循环中施加给所述字线的电势的差;
施加给所述第2单元晶体管的所述电势;以及
所述多个检验电势的1个。
4.根据权利要求1所述的存储装置,其特征在于:
所述多个检验电势具备2n-1(n是自然数)个检验电势;
所述控制电路在1次编程期间,将所述2n-1个检验电势施加给所述多个第1单元晶体管。
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