[发明专利]存储装置有效

专利信息
申请号: 201710128165.0 申请日: 2017-03-06
公开(公告)号: CN107564556B 公开(公告)日: 2020-12-04
发明(设计)人: 上野広贵;椎野泰洋;兼田明日香 申请(专利权)人: 东芝存储器株式会社
主分类号: G11C16/04 分类号: G11C16/04;G11C16/10;G11C16/34;G11C11/56
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 杨林勋
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储 装置
【说明书】:

本发明的实施方式提供一种能够实现更适当的编程的存储装置。一实施方式的存储装置包含多个第1单元晶体管、第2单元晶体管以及控制电路。控制电路构成为:在包含多个循环的编程之间,在对第2单元晶体管施加电势的期间内,对多个第1单元晶体管施加比施加给第2单元晶体管的电势低且不同的多个基准电势,并在第1循环中对第1参数使用第1值,在第1循环后且满足第1条件的循环后的第2循环中,对第1参数使用第1值或不同于第1值的第2值。

[相关申请]

本申请享受以日本专利申请2016-131826号(申请日:2016年7月1日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

实施方式涉及一种存储装置。

背景技术

已知有能够在1个存储单元中保存2位以上数据的存储装置。

发明内容

本发明的实施方式提供一种能够实现更适当的编程的存储装置。

一实施方式的存储装置包含多个第1单元晶体管、第2单元晶体管以及控制电路。控制电路构成为:在包含多个循环的编程之间,在对第2单元晶体管施加电势的期间内,对多个第1单元晶体管施加比施加给第2单元晶体管的电势低且不同的多个基准电势,并在第1循环中对第1参数使用第1值,在第1循环后且满足第1条件的循环后的第2循环中,对第1参数使用第1值或不同于第1值的第2值。

根据实施方式,能够提供一种能实现更适当的编程的存储装置。

附图说明

图1表示一实施方式的半导体存储装置的功能块。

图2表示一实施方式的单元阵列的一部分的要素及连接。

图3表示一实施方式的单元阵列的构造的第1例。

图4表示一实施方式的单元阵列的构造的第2例。

图5表示一实施方式的存储装置的单元晶体管所保存的数据与阈值电压的关系的例子。

图6表示一实施方式的列解码器、驱动器以及相关的块的要素及连接的例子。

图7表示在一实施方式的存储装置的整页编程期间施加给选择字线及非选择字线的电势的例子。

图8表示一实施方式的存储装置的整页编程的流程的例子。

图9表示在一实施方式的存储装置的动作期间由控制电路保存的表的例子。

图10按照时间表示在一实施方式的存储装置的动作期间施加给要素的电势。

图11表示一实施方式的存储装置的动作期间的一状态。

图12按照时间表示在一实施方式的存储装置的动作期间施加给要素的电势。

图13表示一实施方式的存储装置的动作期间的一状态。

具体实施方式

以下参照附图来记载实施方式。在以下的记载中,存在具有大致相同的功能及构成的构成要素附注相同符号并省略重复说明的情况。各功能块能够作为硬件、计算机软件中的任一个或组合两个而成的组合物而实现。因此,为了明确各功能块为这些中的任一个,而大体从这些功能块的功能的观点来记载。此外,各功能块未必像下例那样区分。例如,一部分功能也可由不同于例示功能块的其他功能块执行。进而,例示的功能块也可进一步细分成功能子块。

实施方式的方法的流程中的任一步骤均未限定为例示的顺序,只要没明确否定,就能够以不同于例示顺序的顺序及(或)与其他步骤并行执行。

在说明书及权利要求书中,“连接”包含直接连接及经由导电性要素的连接。

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