[发明专利]一种BZO玻璃及制备方法、QLED器件及制备方法

权利要求书

1.一种BZO玻璃的制备方法，其特征在于，包括：

步骤A、制作BZO玻璃；

步骤B、采用酸溶液对BZO玻璃中的BZO薄膜进行腐蚀；

步骤C、对经步骤B处理后的BZO玻璃进行切割，得到所需尺寸的BZO玻璃。

2.根据权利要求1所述的BZO玻璃的制备方法，其特征在于，所述步骤A中，所述制作BZO玻璃的方法包括步骤：以乙二基锌、水和硼烷为气源前驱物，采用化学气相沉积法在备好的玻璃上沉积BZO薄膜，得到BZO玻璃。

3.根据权利要求2所述的BZO玻璃的制备方法，其特征在于，所述制作BZO玻璃之前，还包括步骤：对玻璃进行清洗，并将清洗后的玻璃进行烘干；所述对玻璃进行清洗，并将清洗后的玻璃进行烘干的方法具体包括：加入水溶液清洗剂喷淋在玻璃上、下表面，经过毛刷刷洗后，进入喷淋超纯水中冲洗玻璃表面的残液，最后经过70~90℃风刀室将其烘干。

4.根据权利要求2所述的BZO玻璃的制备方法，其特征在于，在LPCVD设备中沉积所述BZO薄膜，所述制作BZO玻璃的方法具体包括：

步骤A1、将清洗干净的玻璃在LPCVD设备的加热腔加热到150~200℃后，传送到LPCVD设备的反应腔内；

步骤A2、然后将乙二基锌、水和硼烷均以气态形式通入上述反应腔；

步骤A3、调节反应腔的压力为3×10^-3-7×10^-3mbar，水/乙二基锌的流量比为0.5-5，乙二基锌/硼烷的流量比为2-6，沉积的时间为100-500s，使乙二基锌、水和硼烷在玻璃上反应，生成BZO薄膜，得到BZO玻璃。

5.根据权利要求1所述的BZO玻璃的制备方法，其特征在于，所述步骤B中，所述酸溶液为HCl溶液。

6.根据权利要求5所述的BZO玻璃的制备方法，其特征在于，所述HCl溶液的体积浓度为0.5%-5%，所述HCl溶液的温度为20-60℃。

7.根据权利要求1所述的BZO玻璃的制备方法，其特征在于，所述步骤B中，腐蚀的时间为10-40s。

8.一种BZO玻璃，其特征在于，采用如权利要求1~7任一所述的BZO玻璃的制备方法制备而成。

9.一种QLED器件的制备方法，其特征在于，包括步骤：

在如权利要求8所述的BZO玻璃上依次制备空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层和电子传输层；

最后在电子传输层上制备背电极，得到QLED器件。

10.一种QLED器件，其特征在于，所述QLED器件采用如权利要求9所述的QLED器件的制备方法制备而成；

所述QLED器件依次包括BZO玻璃、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和背电极。