[发明专利]一种BZO玻璃及制备方法、QLED器件及制备方法

说明书

本发明公开一种BZO玻璃及制备方法、QLED器件及制备方法，方法包括步骤：步骤A、制作BZO玻璃；步骤B、采用酸溶液对BZO玻璃中的BZO薄膜进行腐蚀；步骤C、对经步骤B处理后的BZO玻璃进行切割，得到所需尺寸的BZO玻璃。本发明采用化学气相沉积法沉积BZO薄膜，然后采用酸溶液对BZO薄膜进行腐蚀，以缓和薄膜表面尖刺，从而提高后续薄膜厚度的均匀性，改善尖刺刺穿薄层造成短路的问题，减少尖刺与相邻薄层界面引起的缺陷，减少载流子俘获中心，进而达到提高QLED器件光电性能的目的。

技术领域

本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种BZO玻璃及制备方法、QLED器件及制备方法。

背景技术

由于波导效应的损失，大部分光只能在QLED器件的内部传播，被吸收掉，传统LED器件外量子效率保持在20%。近来，出现很多针对QLED器件内部和外部结构的改进技术，用来提升QLED器件的出光效率，如散射介质、微观镜列、纳米洞、纳米结构等。

目前，为了提升QLED器件的出光效率，有报道采用BZO(硼掺杂ZnO)玻璃取代传统的ITO玻璃，其优点是：1）、BZO有着微观纳米陷光结构，如图1所示，可提高器件出光效率；2）、BZO玻璃相比ITO玻璃，成本更低；3）、ITO薄膜需要用到稀有金属In，In在地球含量少，开发困难，而BZO中元素含量丰富，容易制备，环保，利于可持续发展。另外，采用LPCVD沉积法可批量生产大面积BZO玻璃。沉积的BZO薄膜表面呈现微观纳米陷光结构，但是会出现很多尖刺，在后续沉积薄膜会带来如下不利影响：1）、沉积的薄膜厚度均匀性差，尤其是纳米级别的薄层；2）、容易导致尖刺部分无膜，刺穿多层薄层，可能引起前后电极导通造成短路；3）、尖刺位置与相邻薄层界面形成缺陷，俘获载流子，降低器件光电性能。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种BZO玻璃及制备方法、QLED器件及制备方法，旨在解决现有方法制备的BZO薄膜表面会出现很多尖刺，致使后续薄膜厚度的均匀性差，尖刺刺穿薄层造成短路，尖刺与相邻薄层界面形成缺陷，俘获载流子，降低QLED器件光电性能的问题。

本发明的技术方案如下：

一种BZO玻璃的制备方法，其中，包括：

步骤A、制作BZO玻璃；

步骤B、采用酸溶液对BZO玻璃中的BZO薄膜进行腐蚀；

步骤C、对经步骤B处理后的BZO玻璃进行切割，得到所需尺寸的BZO玻璃。

所述的BZO玻璃的制备方法，其中，所述步骤A中，所述制作BZO玻璃的方法包括步骤：以乙二基锌、水和硼烷为气源前驱物，采用化学气相沉积法在备好的玻璃上沉积BZO薄膜，得到BZO玻璃。

所述的BZO玻璃的制备方法，其中，所述制作BZO玻璃之前，还包括步骤：对玻璃进行清洗，并将清洗后的玻璃进行烘干；所述对玻璃进行清洗，并将清洗后的玻璃进行烘干的方法具体包括：加入水溶液清洗剂喷淋在玻璃上、下表面，经过毛刷刷洗后，进入喷淋超纯水中冲洗玻璃表面的残液，最后经过70~90℃风刀室将其烘干。

所述的BZO玻璃的制备方法，其中，在LPCVD设备中沉积所述BZO薄膜，所述制作BZO玻璃的方法具体包括：

步骤A1、将清洗干净的玻璃在LPCVD设备的加热腔加热到150~200℃后，传送到LPCVD设备的反应腔内；

步骤A2、然后将乙二基锌、水和硼烷均以气态形式通入上述反应腔；