[发明专利]集成电路器件及其制造方法

权利要求书

1.一种集成电路器件，包括：

彼此邻近的一对鳍形有源区，在其间有鳍分离区，所述一对鳍形有源区延伸成一行；以及

在所述鳍分离区中的鳍分离绝缘结构，

其中所述一对鳍形有源区包括第一鳍形有源区，所述第一鳍形有源区具有限定部分的所述鳍分离区的第一拐角，以及

其中所述鳍分离绝缘结构包括：

下绝缘图案，覆盖所述一对鳍形有源区的侧壁，以及

上绝缘图案，在所述下绝缘图案上以覆盖所述第一拐角的至少部分，所述上绝缘图案具有在比所述一对鳍形有源区的每个的顶表面高的水平处的顶表面，

其中所述上绝缘图案的所述顶表面具有凸起的倒圆表面轮廓。

2.如权利要求1所述的集成电路器件，还包括在所述第一鳍形有源区的区域上的半导体外延图案，在所述半导体外延图案的相反两侧的所述第一鳍形有源区的顶表面具有不同的高度。

3.如权利要求1所述的集成电路器件，其中所述一对鳍形有源区还包括第二鳍形有源区，所述第二鳍形有源区具有限定部分的所述鳍分离区的第二拐角，所述上绝缘图案覆盖所述第二拐角的至少部分。

4.一种集成电路器件，包括：

彼此邻近的一对鳍形有源区，在其间有鳍分离区，所述一对鳍形有源区沿着第一方向延伸成一行，并且所述鳍分离区在所述第一方向上具有第一宽度；

鳍分离绝缘结构，在所述一对鳍形有源区之间的所述鳍分离区中，所述鳍分离绝缘结构包括下绝缘图案以及在所述下绝缘图案上的上绝缘图案，所述上绝缘图案在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸，所述上绝缘图案具有凸起的倒圆顶表面轮廓并且在所述第一方向上具有大于所述第一宽度的第二宽度；

正常栅极，在从所述一对鳍形有源区中选择的第一鳍形有源区中在所述第二方向上延伸；以及

半导体外延图案，在所述第一鳍形有源区的在所述正常栅极与所述鳍分离绝缘结构之间的区域上，所述半导体外延图案与所述鳍分离绝缘结构间隔开，

其中所述第一鳍形有源区在所述半导体外延图案的相反两侧的顶表面具有不同的高度。

5.如权利要求4所述的集成电路器件，其中所述第一鳍形有源区的在其边缘处的外部顶表面具有比所述第一鳍形有源区的内部顶表面高的高度，所述外部顶表面在所述半导体外延图案与所述鳍分离绝缘结构之间，并且所述内部顶表面比所述外部顶表面更远离所述第一鳍形有源区的所述边缘。

6.如权利要求4所述的集成电路器件，其中所述上绝缘图案具有在比所述一对鳍形有源区的每个的顶表面高的水平处的顶表面。

7.如权利要求4所述的集成电路器件，还包括在所述上绝缘图案上的虚设栅极，所述虚设栅极平行于所述正常栅极延伸。

8.如权利要求4所述的集成电路器件，其中所述一对鳍形有源区的每一个包括在面对所述鳍分离区的边缘区域的上部分处的倒角拐角，并且所述鳍分离绝缘结构的所述上绝缘图案覆盖所述倒角拐角的至少部分。

9.一种集成电路器件，包括：

在基板上的第一区域中彼此邻近的一对第一鳍形有源区，在其间有具有第一宽度的第一鳍分离区，所述一对第一鳍形有源区延伸成第一行；

第一鳍分离绝缘结构，在所述第一鳍分离区中在与所述第一行交叉的方向上延伸并且具有第一顶表面，所述第一顶表面具有凸起的倒圆顶表面轮廓，所述第一顶表面具有大于所述第一宽度的第二宽度；

第一正常栅极，在从所述一对第一鳍形有源区中选择的一个第一鳍形有源区的区域上延伸；以及

第一半导体外延图案，在从所述一对第一鳍形有源区中选择的所述一个第一鳍形有源区的在所述第一正常栅极和所述第一鳍分离绝缘结构之间的区域上，所述第一半导体外延图案与所述第一鳍分离绝缘结构间隔开，

其中从所述一对第一鳍形有源区中选择的所述一个第一鳍形有源区在所述第一半导体外延图案的相反两侧的顶表面具有不同的高度。