[发明专利]集成电路器件及其制造方法

说明书

一种集成电路(IC)器件包括：彼此邻近的一对鳍形有源区，在其间有鳍分离区，所述一对鳍形有源区延伸成一行；以及在鳍分离区中的鳍分离绝缘结构，其中所述一对鳍形有源区包括第一鳍形有源区，第一鳍形有源区具有限定部分的鳍分离区的第一拐角，并且其中鳍分离绝缘结构包括：下绝缘图案，覆盖所述一对鳍形有源区的侧壁；以及上绝缘图案，在下绝缘图案上以覆盖第一拐角的至少部分，上绝缘图案具有在比所述一对鳍形有源区的每个的顶表面高的水平处的顶表面。

技术领域

实施方式涉及集成电路器件以及制造该集成电路器件的方法，更具体而言，涉及包括鳍型场效应晶体管的集成电路器件以及制造该集成电路器件的方法。

背景技术

随着电子技术的发展，半导体器件最近已经按比例缩小了尺寸。因为半导体器件既需要快的操作速度又需要操作准确度，所以正在各种方面进行对于半导体器件的晶体管的结构优化的研究。具体地，随着晶体管尺寸的减小，需要实现确保鳍形有源区的顶部分的目标高度和宽度的集成电路(IC)器件的技术开发，该鳍形有源区提供晶体管的沟道区并且具有稳定的结构以防止相邻导电区域之间的短路。

发明内容

实施方式提供一种IC器件，该IC器件具有通过防止相邻导电区域之间的短路而有提高的性能的鳍型场效应晶体管。

实施方式还提供一种制造IC器件的方法，该IC器件具有通过防止相邻导电区域之间的短路而有提高的性能的鳍型场效应晶体管。

根据实施方式的一方面，提供一种IC器件，该IC器件包括：彼此邻近的一对鳍形有源区，在其间有鳍分离区，所述一对鳍形有源区延伸成一行；以及在鳍分离区中的鳍分离绝缘结构。所述一对鳍形有源区可以包括第一鳍形有源区，该第一鳍形有源区具有限定部分的鳍分离区的第一倒角拐角(chamfered corner)。鳍分离绝缘结构包括：下绝缘图案，覆盖所述一对鳍形有源区的侧壁；以及上绝缘图案，在下绝缘图案上以覆盖第一倒角拐角的至少部分，上绝缘图案具有在比所述一对鳍形有源区的每个的顶表面高的水平处的顶表面。

根据实施方式的另一方面，提供一种IC器件，该IC器件包括：彼此邻近的一对鳍形有源区，在其间有鳍分离区，所述一对鳍形有源区沿着第一方向延伸成一行，并且鳍分离区在第一方向上具有第一宽度；鳍分离绝缘结构，在所述一对鳍形有源区之间的鳍分离区中，鳍分离绝缘结构包括下绝缘图案以及在下绝缘图案上的上绝缘图案，上绝缘图案在与第一方向交叉的第二方向上延伸，具有凸起的倒圆顶表面轮廓并且在第一方向上具有大于第一宽度的第二宽度；正常栅极，在从所述一对鳍形有源区中选择的第一鳍形有源区中在第二方向上延伸；以及半导体外延图案，在第一鳍形有源区的在正常栅极与鳍分离绝缘结构之间的区域上，与鳍分离绝缘结构间隔开。第一鳍形有源区在半导体外延图案的相反两侧的顶表面具有不同的高度。

根据实施方式的另一方面，提供一种IC器件，该IC器件包括：在基板上的第一区域中彼此邻近的一对第一鳍形有源区，在其间有具有第一宽度的第一鳍分离区，所述一对第一鳍形有源区延伸成第一行；第一鳍分离绝缘结构，在第一鳍分离区中在与第一行交叉的方向上延伸并且具有第一顶表面，第一顶表面具有凸起的倒圆顶表面轮廓，第一顶表面具有大于第一宽度的第二宽度；第一正常栅极，在从所述一对第一鳍形有源区中选择的一个第一鳍形有源区的区域上延伸；以及第一半导体外延图案，在从所述一对第一鳍形有源区选择的所述一个第一鳍形有源区的在第一正常栅极与第一鳍分离绝缘结构之间的区域上，第一半导体外延图案与第一鳍分离绝缘结构间隔开。从所述一对第一鳍形有源区选择的所述一个第一鳍形有源区在第一半导体外延图案的相反两侧的顶表面具有不同的高度。