[发明专利]输出电路

说明书

课题为提供能够高速进行切换动作的输出电路。解决方案为具备：生成控制电压的控制电压生成电路；栅极接受控制电压的第1导电型的第1MOS晶体管；栅极被输入第1输入信号的第1导电型的第2MOS晶体管；栅极被输入第2输入信号的第2导电型的第3MOS晶体管；以及第1导电型的第4MOS晶体管，其栅极与第1MOS晶体管的源极连接，漏极与输出端子连接，第1导电型的第4MOS晶体管被第1输入信号及第2输入信号驱动而向输出端子输出输出信号，控制电压生成电路吸收因第1输入信号和第2输入信号发生变化而产生的控制电压的变动，将控制电压保持在既定电压。

技术领域

本发明关于输出电路，特别关于利用低电压信号对与高电压连接的MOS晶体管进行导通截止控制并生成输出信号的输出电路。

背景技术

生成驱动在数十V的高电压下进行动作的负载的输出信号的输出电路，例如，构成为利用低电压信号对与高电压连接的MOS晶体管进行导通截止控制，从该MOS晶体管得到高电压的输出信号。

作为这样的输出电路的例子，在图6中示出现有的输出电路600的电路图。

现有的输出电路600具备：电源端子601、接地端子602、输入端子615、NMOS晶体管616、电阻611、613、齐纳二极管610、PMOS晶体管612以及输出端子614。

PMOS晶体管612的源极与电源端子601连接，漏极与输出端子614连接。电阻611的一端与电源端子601连接。齐纳二极管610的负极与电源端子601连接，正极与电阻611的另一端和PMOS晶体管612的栅极连接。电阻613的一端与齐纳二极管610的正极连接。NMOS晶体管616的栅极与输入端子615连接，源极与接地端子602连接，漏极与电阻613的另一端连接。

在这样的现有的输出电路600中，NMOS晶体管616根据向输入端子615输入的低电压的输入信号IN进行导通截止动作，由此PMOS晶体管612被驱动，向输出端子614输出输出信号。

若作为第1状态假定NMOS晶体管616导通的情况，则有电流流过齐纳二极管610和电阻613和电阻611，PMOS晶体管612的栅极电压VGATE因齐纳二极管610的击穿电压Vz而被钳位（clamp）。即，PMOS晶体管612的栅极电压VGATE成为从高电压即电源端子601的电压VDD低齐纳二极管610的击穿电压Vz的量的电压。因而，PMOS晶体管612能够导通，而栅极－源极间电压不会超过耐压。此外，电阻613是为限制齐纳二极管610的电流所需要的电阻。

若作为第2状态假定NMOS晶体管616截止的情况，则PMOS晶体管612因电阻611而栅极电压VGATE上拉到电源端子601的电压VDD，成为截止状态。

这样，依据现有的输出电路600，PMOS晶体管612的栅极－源极间电压不会超过其耐压，能够响应输入端子615的信号而对PMOS晶体管612进行切换（switching），从输出端子614得到输出（例如，参照专利文献1）。

【现有技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】日本特开平8－139588号公报。

发明内容

【发明要解决的课题】

然而，在如上述的现有的输出电路600中，存在难以使PMOS晶体管612的切换动作高速进行这一课题。

该原因在于：由于是在使PMOS晶体管612导通截止时，经由电阻613、电阻611进行PMOS晶体管612的栅极－源极间电容的充放电的构成，所以充放电会需要较长的时间。