[发明专利]存储器件的形成方法

权利要求书

1.一种存储器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供底层基底，所述底层基底上具有控制电路；

在控制电路上形成顶层基底，在形成顶层基底的过程中采用原位掺杂工艺在所述顶层基底中掺杂导电离子，所述顶层基底具有预设优化厚度，顶层基底包括第一衬底和位于第一衬底上的第二衬底，第一衬底中导电离子的浓度大于第二衬底中导电离子的浓度；

在所述顶层基底上形成存储单元电路，所述存储单元电路和所述控制电路电学连接。

2.根据权利要求1所述的存储器件的形成方法，其特征在于，所述预设优化厚度为200nm～1000nm。

3.根据权利要求1所述的存储器件的形成方法，其特征在于，所述第一衬底中导电离子的浓度为所述第二衬底中导电离子的浓度的50倍～200倍。

4.根据权利要求3所述的存储器件的形成方法，其特征在于，所述第一衬底中导电离子的浓度为1E18atom/cm³～2E18atom/cm³；所述第二衬底中导电离子的浓度为1E16atom/cm³～3E16atom/cm³。

5.根据权利要求1所述的存储器件的形成方法，其特征在于，当所述存储单元电路的类型为N型时，所述导电离子的导电类型为P型；当所述存储单元电路的类型为P型时，所述导电离子的导电类型为N型。

6.根据权利要求1所述的存储器件的形成方法，其特征在于，形成所述顶层基底的方法包括：在所述控制电路上形成所述第一衬底，在形成第一衬底的过程中采用原位掺杂工艺在第一衬底中掺杂导电离子；在所述第一衬底上形成所述第二衬底，在形成第二衬底的过程中采用原位掺杂工艺在第二衬底中掺杂导电离子。

7.根据权利要求6所述的存储器件的形成方法，其特征在于，形成所述第一衬底的工艺为第一沉积工艺；形成所述第二衬底的工艺为第二沉积工艺。

8.根据权利要求7所述的存储器件的形成方法，其特征在于，所述第一沉积工艺包括低压化学气相沉积工艺；所述第二沉积工艺包括低压化学气相沉积工艺。

9.根据权利要求8所述的存储器件的形成方法，其特征在于，所述第一沉积工艺的参数包括：采用的气体包括第一反应气体和第一掺杂源气体，第一掺杂源气体包括第一稀释气体和第一初始掺杂源气体，第一初始掺杂源气体包括第一本证掺杂源和第一本证稀释源，第一反应气体的流量为30sccm～100sccm，第一掺杂源气体的流量为300sccm～500sccm，腔室压强为300mtorr～500mtorr，温度为500摄氏度～550摄氏度。

10.根据权利要求9所述的存储器件的形成方法，其特征在于，所述第一反应气体为硅烷；所述第一稀释气体包括N₂，所述第一本证掺杂源为乙硼烷，第一本证稀释源包括N₂；第一本证掺杂源占据第一初始掺杂源气体的摩尔数比例为0.8％～1.5％。

11.根据权利要求9所述的存储器件的形成方法，其特征在于，获取所述第一掺杂源气体的步骤包括：提供第一初始掺杂源气体；采用第一稀释气体将第一初始掺杂源气体稀释，第一稀释气体和第一初始掺杂源气体的体积之比为20：1～50：1。

12.根据权利要求8所述的存储器件的形成方法，其特征在于，所述第二沉积工艺的参数包括：采用的气体包括第二反应气体和第二掺杂源气体，第二掺杂源气体包括第二稀释气体和第二初始掺杂源气体，第二初始掺杂源气体包括第二本证掺杂源和第二本证稀释源，第二反应气体的流量为10sccm～30sccm，第二掺杂源气体的流量为2000sccm～3000sccm，腔室压强为300mtorr～500mtorr，温度为500摄氏度～550摄氏度。