[发明专利]存储器件的形成方法

说明书

一种存储器件的形成方法，包括：提供底层基底，所述底层基底上具有控制电路；在控制电路上形成顶层基底，在形成顶层基底的过程中采用原位掺杂工艺在所述顶层基底中掺杂导电离子，所述顶层基底具有预设优化厚度，顶层基底包括第一衬底和位于第一衬底上的第二衬底，第一衬底中导电离子的浓度大于第二衬底中导电离子的浓度；在所述顶层基底上形成存储单元电路，所述存储单元电路和所述控制电路电学连接。所述方法使存储器件的性能提高。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种存储器件的形成方法。

背景技术

快闪存储器(Flash Memory)又称为闪存，闪存的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息，且具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重写等优点，因此成为非挥发性存储器的主流存储器。根据结构的不同，闪存分为非门闪存(NOR Flash Memory)和与非门闪存(NAND Flash Memory)。相比NOR Flash Memory，NAND Flash Memory能提供高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也更快。

随着平面型闪存的发展，半导体的生产工艺取得了巨大的进步。但是目前平面型闪存的发展遇到了各种挑战：物理极限，如曝光技术极限、显影技术极限及存储电子密度极限等。在此背景下，为解决平面型闪存遇到的困难以及追求更低的单位存储单元的生产成本，三维(3D)闪存应用而生，例如3D NAND闪存。

然而，现有技术中，3D NAND闪存单元构成的存储器件的性能较差。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种存储器件的形成方法，以提高存储器件的性能。

为解决上述问题，本发明提供一种存储器件的形成方法，包括：提供底层基底，所述底层基底上具有控制电路；在控制电路上形成顶层基底，在形成顶层基底的过程中采用原位掺杂工艺在所述顶层基底中掺杂导电离子，所述顶层基底具有预设优化厚度，顶层基底包括第一衬底和位于第一衬底上的第二衬底，第一衬底中导电离子的浓度大于第二衬底中导电离子的浓度；在所述顶层基底上形成存储单元电路，所述存储单元电路和所述控制电路电学连接。

可选的，所述预设优化厚度为200nm～1000nm。

可选的，所述第一衬底中导电离子的浓度为所述第二衬底中导电离子的浓度的50倍～200倍。

可选的，所述第一衬底中导电离子的浓度为1E18atom/cm³～2E18atom/cm³；所述第二衬底中导电离子的浓度为1E16atom/cm³～3E16atom/cm³。

可选的，当所述存储单元电路的类型为N型时，所述导电离子的导电类型为P型；当所述存储单元电路的类型为P型时，所述导电离子的导电类型为N型。

可选的，形成所述顶层基底的方法包括：在所述控制电路上形成所述第一衬底，在形成第一衬底的过程中采用原位掺杂工艺在第一衬底中掺杂导电离子；在所述第一衬底上形成所述第二衬底，在形成第二衬底的过程中采用原位掺杂工艺在第二衬底中掺杂导电离子。

可选的，形成所述第一衬底的工艺为第一沉积工艺；形成所述第二衬底的工艺为第二沉积工艺。

可选的，所述第一沉积工艺包括低压化学气相沉积工艺；所述第二沉积工艺包括低压化学气相沉积工艺。

可选的，所述第一沉积工艺的参数包括：采用的气体包括第一反应气体和第一掺杂源气体，第一掺杂源气体包括第一稀释气体和第一初始掺杂源气体，第一初始掺杂源气体包括第一本证掺杂源和第一本证稀释源，第一反应气体的流量为30sccm～100sccm，第一掺杂源气体的流量为300sccm～500sccm，腔室压强为300mtorr～500mtorr，温度为500摄氏度～550摄氏度。