[发明专利]CMOS图像传感器及其制作方法

权利要求书

1.一种CMOS图像传感器的制作方法，包括：

提供前端结构，所述前端结构形成有光电二极管阱区和围绕所述光电二极管阱区的隔离环；

在所述隔离环上光电二极管阱区一侧形成栅极，所述栅极位于所述光电二极管阱区和隔离环的交界处；

在所述栅极侧壁形成第一侧墙；

在所述第一侧墙背离所述栅极的一侧形成第二侧墙；以及

以所述第一侧墙和第二侧墙为遮蔽在所述隔离环中形成浮动扩散区。

2.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，所述第一侧墙包括第一氧化层、第一氮化层和第二氧化层；所述第二侧墙包括第二氮化层。

3.如权利要求2所述的CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，所述第一侧墙的厚度为所述第二侧墙的厚度为

4.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，在提供前端结构之后，在所述隔离环上光电二极管阱区一侧形成栅极之前，还包括：

在所述隔离环中靠近光电二极管阱区一侧边缘处形成一束缚阱区。

5.如权利要求4所述的CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，所述栅极形成于所述束缚阱区上。

6.如权利要求4所述的CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，采用离子注入工艺形成所述束缚阱区。

7.如权利要求6所述的CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，离子注入采用P型离子进行垂直注入，注入浓度为2E11/cm²-2E13/cm²，能量为100KeV-150KeV。

8.一种CMOS图像传感器，包括：

前端结构，所述前端结构包括光电二极管阱区和围绕所述光电二极管阱区的隔离环；

位于所述隔离环上光电二极管阱区一侧的栅极；

位于所述栅极侧壁的第一侧墙；

位于所述第一侧墙背离所述栅极的一侧的第二侧墙；

位于所述隔离环中的浮动扩散区。

9.如权利要求8所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述第一侧墙包括第一氧化层，第一氮化层和第二氧化层；所述第二侧墙包括第二氮化层。

10.如权利要求9所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述第一侧墙的厚度为所述第二侧墙的厚度为

11.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，还包括：

位于所述隔离环中靠近光电二极管阱区一侧边缘处的一束缚阱区。

12.如权利要求11所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述栅极位于所述束缚阱区上。

13.如权利要求11所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述束缚阱区为P型阱区。