[发明专利]CMOS图像传感器及其制作方法

说明书

本发明揭示了一种CMOS图像传感器及其制作方法。本发明的CMOS图像传感器的制作方法，包括提供前端结构，所述前端结构形成有光电二极管阱区和围绕所述光电二极管阱区的隔离环；在所述隔离环上光电二极管阱区一侧形成栅极，所述栅极位于所述光电二极管阱区和隔离环的交界处；在所述栅极侧壁形成第一侧墙；在所述第一侧墙背离所述栅极的一侧形成第二侧墙；以包括所述第一侧墙和第二侧墙为遮蔽在所述隔离环中形成浮动扩散区。使得栅极的侧墙线宽变大，使得浮动扩散区变小，远离了光电二极管阱区，因此从光电二极管阱区溢出的光电子会被隔离环中和，改善了光电二极管阱区至浮动扩散区之间的漏电流，提升CMOS图像传感器的质量。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种CMOS图像传感器及其制作方法。

背景技术

与电荷耦合器件图像传感器(Charge Coupled Device，简称CCD)相比，CMOS图像传感器(Contact Image Sensor，简称CIS)在其制造工艺和现有的集成电路制造工艺兼容性上具有优越的性能。CIS可以将驱动电路和像素集成在一起，简化了硬件设计，大大降低了系统的功耗；CIS在采集光信号的同时就可以取出电信号，还能实时处理图像信息，速度比CCD图像传感器快；并且，CIS还具有价格便宜、带宽较大、防模糊、访问的灵活性和较大的填充系数等优点。

但是CMOS图像传感器也受到制备工艺的制约，像素缺陷，例如白点等，会使得成像变差，导致显示功能下降。因此，如何改善像素缺陷，提高CMOS图像传感器的图像质量是一个亟待解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种CMOS图像传感器及其制作方法，提高CMOS图像传感器的性能。

为解决上述技术问题，本发明提供一种CMOS图像传感器的制作方法，包括：

提供前端结构，所述前端结构形成有光电二极管阱区和围绕所述光电二极管阱区的隔离环；

在所述隔离环上光电二极管阱区一侧形成栅极，所述栅极位于所述光电二极管阱区和隔离环的交界处；

在所述栅极侧壁形成第一侧墙；

在所述第一侧墙背离所述栅极的一侧形成第二侧墙；

以所述第一侧墙和第二侧墙为遮蔽在所述隔离环中形成浮动扩散区。

可选的，对于所述的CMOS图像传感器的制作方法，所述第一侧墙包括第一氧化层、第一氮化层和第二氧化层；所述第二侧墙包括第二氮化层。

可选的，对于所述的CMOS图像传感器的制作方法，所述第一侧墙的厚度为所述第二侧墙的厚度为

可选的，对于所述的CMOS图像传感器的制作方法，在提供前端结构之后，在所述隔离环上光电二极管阱区一侧形成栅极之前，还包括：

在所述隔离环中靠近光电二极管阱区一侧边缘处形成一束缚阱区。

可选的，对于所述的CMOS图像传感器的制作方法，所述栅极形成于所述束缚阱区上。

可选的，对于所述的CMOS图像传感器的制作方法，采用离子注入工艺形成所述束缚阱区。

可选的，对于所述的CMOS图像传感器的制作方法，离子注入采用P型离子进行垂直注入，注入浓度为2E11/cm²-2E13/cm²，能量为100KeV-150KeV。

本发明还提供一种CMOS图像传感器，包括：

前端结构，所述前端结构包括光电二极管阱区和围绕所述光电二极管阱区的隔离环；

位于所述隔离环上光电二极管阱区一侧的栅极；

位于所述栅极侧壁的第一侧墙；