[发明专利]自对准晶种层及自对准薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201710134405.8 | 申请日： | 2017-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN108573851B | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/04;C23C16/24;C23C16/18;C30B25/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 余昌昊 |
| 地址： | 201306 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 对准 晶种层 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种自对准晶种层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一衬底，在所述衬底上形成掩膜层，所述掩膜层的材质为无定型碳；
图案化所述掩膜层，在所述掩膜层内形成凹槽，暴露出部分所述衬底；
在暴露出的所述衬底上形成第一晶种层，所述第一晶种层为(H3Si)2O层；
向所述第一晶种层上通入惰性气体，去除所述掩膜层上的第一晶种层；
在暴露出的所述衬底上形成第二晶种层；
在所述第二晶种层上形成硅薄膜、锗薄膜或硅锗薄膜。
2.如权利要求1所述的自对准晶种层的制备方法，其特征在于，向所述衬底上通入包含有二硅氧烷的气体，在所述衬底上形成所述第一晶种层；向所述衬底上通入包含有环戊硅烷的气体，在所述第一晶种层上形成第二晶种层。
3.如权利要求2所述的自对准晶种层的制备方法，其特征在于，在形成所述第一晶种层与形成所述第二晶种层的过程中，向所述衬底上通入的气体还包括惰性气体。
4.如权利要求3所述的自对准晶种层的制备方法，其特征在于，所述惰性气体为氩气。
5.如权利要求1～4中任一项所述的自对准晶种层的制备方法，其特征在于，所述第一晶种层为单层或双层；所述第二晶种层为单层、双层或三层。
6.如权利要求5所述的自对准晶种层的制备方法，其特征在于，在形成所述掩膜层之前，在所述衬底上形成一绝缘层。
7.如权利要求6所述的自对准晶种层的制备方法，其特征在于，所述绝缘层的材质为氧化硅或/和氮化硅。
8.一种自对准薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一采用权利要求1～7中任一项所述的自对准晶种层的制备方法制备的自对准晶种层；
在所述自对准晶种层上形成硅薄膜、锗薄膜或硅锗薄膜。
9.如权利要求8所述的自对准薄膜的制备方法，其特征在于，在所述自对准晶种层上通入包含有含硅或/含锗的气体与氢气，在所述自对准晶种层上形成薄膜。
10.如权利要求9所述的自对准薄膜的制备方法，其特征在于，所述含硅的气体为乙硅烷，所述含锗的气体为锗烷。
11.如权利要求10所述的自对准薄膜的制备方法，其特征在于，形成硅薄膜的反应气体为乙硅烷与氢气，形成锗薄膜的反应气体为锗烷与氢气，形成硅锗薄膜的反应气体为乙硅烷、锗烷与氢气。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
