[发明专利]一种3D NAND存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种3D NAND存储器件，其特征在于，包括：

基底；

所述基底上的堆叠层，所述堆叠层至少有一侧为阶梯结构，所述堆叠层包括沿字线方向依次排布的第一区域、第二区域和第三区域；其中，

所述第二区域位于所述第一区域和第三区域之间，所述第二区域中形成有贯通的绝缘环，所述绝缘环内的堆叠层为相互间隔堆叠的氧化物层和氮化物层，所述绝缘环内的堆叠层中形成有贯通接触孔；

所述绝缘环外的第二区域以及第一区域、第三区域的堆叠层为相互间隔堆叠的氧化物层和金属层，所述第一区域和第三区域中形成有用于形成存储器件的沟道孔，所述第一区域、所述绝缘环外的第二区域和所述第三区域中形成有用于划分块存储区的栅线缝隙；

所述沟道孔的顶部形成阻挡层，所述阻挡层与所述栅线缝隙的一端以及所述堆叠层的阶梯结构上均形成第一连接件，多个所述第一连接件分别通过过孔与第一金属相连，所述第一金属作为所述存储器件的位线。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述堆叠层还包括位于所述第一区域和第二区域之间的第四区域，以及位于所述第二区域和第三区域之间的第五区域，所述第四区域和第五区域的堆叠层为相互间隔堆叠的氧化物层和金属层；

所述栅线缝隙位于所述第一区域、所述第四区域、所述绝缘环外的第二区域、所述第五区域以及所述第三区域的堆叠层中。

3.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述阻挡层为多晶硅、Ti、TiN或W。

4.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述绝缘环之外的第二区域的堆叠层中形成有伪沟道孔。

5.一种3D NAND存储器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成堆叠层，所述堆叠层包括沿字线方向依次排布的第一区域、第二区域和第三区域，所述堆叠层为相互间隔堆叠的氧化物层和氮化物层；

在所述堆叠层的至少一侧形成堆叠层的阶梯结构；

分别在所述第一区域、第三区域的堆叠层中形成沟道孔以及在所述第二区域的堆叠层中形成贯通的绝缘环；

在所述沟道孔的顶部形成阻挡层，并为所述阻挡层填充预设半导体材料；

形成栅线缝隙，通过所述栅线缝隙将绝缘环之外的堆叠层中的氮化物层置换为金属层，同时，栅线缝隙中填满金属层；

在所述阻挡层与所述栅线缝隙的一端以及所述堆叠层的阶梯结构上均形成第一连接件；

在绝缘环内的堆叠层中形成贯通接触孔以及在所述堆叠层的阶梯结构上均形成第二连接件；

在所述第一连接件以及第二连接件的上方打过孔，并形成第一金属层，使得所述第一金属层中的多个所述第一金属分别通过所述过孔与所述第一连接件以及第二连接件电连接，多个所述第一金属作为所述存储器件的位线。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，在形成栅线缝隙之后，还包括：

在所述基底上形成第一衬垫。

7.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述堆叠层还包括位于所述第一区域和第二区域之间的第四区域，以及位于所述第二区域和第三区域之间的第五区域；所述栅线缝隙位于所述第一区域、所述第四区域、所述绝缘环外的第二区域、所述第五区域以及所述第三区域的堆叠层中；则，

在所述堆叠层的至少一侧形成堆叠层的阶梯结构的同时，还包括：

将第四区域或第五区域的堆叠层中的上两层氧化物层和氮化物层靠近绝缘环的一侧形成阶梯结构。

8.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述阻挡层为多晶硅、Ti、TiN或W。