[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于具备：

第1衬底，具备第1至第3导电性焊垫、及绝缘层；所述绝缘层具有：第1开口部，使所述第1导电性焊垫的至少一部分露出且所露出的所述第1导电性焊垫的露出面积具有第1面积；第2开口部，使所述第2导电性焊垫的至少一部分露出且所露出的所述第2导电性焊垫的露出面积具有第2面积，所述第2面积是比所述第1面积窄的面积；及第3开口部，使所述第3导电性焊垫的至少一部分露出且所露出的所述第3导电性焊垫的露出面积具有第3面积，所述第3面积是所述第1面积与所述第2面积之间的面积；

第2衬底，以与所述第1衬底对向的方式设置，且具备：具有重叠于所述第1导电性焊垫的第4面积的第4导电性焊垫、具有重叠于所述第2导电性焊垫且比所述第4面积窄的面积即第5面积的第5导电性焊垫、及具有重叠于所述第3导电性焊垫且是所述第4面积与所述第5面积之间的面积即第6面积的第6导电性焊垫；

第1凸块，将所述第1导电性焊垫与所述第4导电性焊垫之间电连接；

第2凸块，将所述第2导电性焊垫与所述第5导电性焊垫之间电连接；以及

第3凸块，将所述第3导电性焊垫与所述第6导电性焊垫之间电连接；且

所述第2导电性焊垫比所述第1导电性焊垫更接近所述第1衬底的几何中心，

所述第3导电性焊垫比所述第1导电性焊垫更接近所述第1衬底的几何中心且比所述第2导电性焊垫更远离所述第1衬底的几何中心。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述第1凸块具有与所述第1面积相对应的第1高度，

所述第2凸块具有与所述第2面积相对应的第2高度，

所述第3凸块具有与所述第3面积相对应的第3高度。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于具备：

所述第1导电性焊垫的面积、所述第2导电性焊垫的面积以及所述第3导电性焊垫的面积相同；

所述第1开口部具有所述第1面积；

所述第2开口部具有所述第2面积；

所述第3开口部具有所述第3面积。

4.一种半导体装置的制造方法，其特征在于具备如下步骤：

将具备第1至第3导电性焊垫、及绝缘层的第1衬底与以与所述第1衬底对向的方式设置且具备第4至第6导电性焊垫的第2衬底，以所述第4导电性焊垫夹着第1凸块而重叠于所述第1导电性焊垫、所述第5导电性焊垫夹着第2凸块而重叠于所述第2导电性焊垫、所述第6导电性焊垫夹着第3凸块而重叠于所述第3导电性焊垫的方式接合，所述绝缘层具有：第1开口部，使所述第1导电性焊垫的至少一部分露出且所露出的所述第1导电性焊垫的露出面积具有第1面积；第2开口部，使所述第2导电性焊垫的至少一部分露出且所露出的所述第2导电性焊垫的露出面积具有第2面积，所述第2面积是比所述第1面积窄的面积；及第3开口部，使所述第3导电性焊垫的至少一部分露出且所露出的所述第3导电性焊垫的露出面积具有第3面积，所述第3面积是所述第1面积与所述第2面积之间的面积；所述第4导电性焊垫具有重叠于所述第1导电性焊垫的第4面积；所述第5导电性焊垫具有重叠于所述第2导电性焊垫且比所述第4面积窄的面积即第5面积；所述第6导电性焊垫具有重叠于所述第3导电性焊垫且是所述第4面积与所述第5面积之间的面积即第6面积；且

所述第2导电性焊垫比所述第1导电性焊垫更接近所述第1衬底的几何中心，

所述第3导电性焊垫比所述第1导电性焊垫更接近所述第1衬底的几何中心且比所述第2导电性焊垫更远离所述第1衬底的几何中心，

所述第1凸块以具有和所述第1导电性焊垫与所述第4导电性焊垫之间的第1间隔相对应的第1高度的方式将所述第1导电性焊垫与所述第4导电性焊垫之间电连接，

所述第2凸块以具有和所述第2导电性焊垫与所述第5导电性焊垫之间的第2间隔相对应的第2高度的方式将所述第2导电性焊垫与所述第5导电性焊垫之间电连接，所述第2间隔是与所述第1间隔不同的值，

所述第3凸块以具有和第3导电性焊垫与所述第6导电性焊垫之间的第3间隔相对应的第3高度的方式将所述第3导电性焊垫与所述第6导电性焊垫之间电连接，所述第3间隔是所述第1间隔与所述第2间隔之间的值。

5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在所述接合步骤之前，还具备在所述第1导电性焊垫上形成所述第1凸块，在所述第2导电性焊垫上形成所述第2凸块，在所述第3导电性焊垫上形成所述第3凸块的步骤。