[发明专利]一种NAND-FLASH的块修复方法及装置有效
申请号: | 201710136116.1 | 申请日: | 2017-03-08 |
公开(公告)号: | CN108573735B | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
发明(设计)人: | 苏志强 | 申请(专利权)人: | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
主分类号: | G11C29/00 | 分类号: | G11C29/00;G11C29/44 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 苏培华 |
地址: | 100083 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 nand flash 修复 方法 装置 | ||
1.一种NAND-FLASH的块修复方法,其特征在于,所述方法包括:
对NAND-FLASH进行块检测,确定所述NAND-FLASH中的出错块;
当所述出错块为第一备用块时,将所述出错块标记为坏,并利用第二备用块对所述出错块进行修复,其中,所述第一备用块表示已经使用过的备用块,所述第二备用块表示未使用过的备用块;
当所述出错块为标准块时,用所述第二备用块对所述出错块进行修复。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在对NAND-FLASH进行块检测,确定所述NAND-FLASH中的出错块的步骤之后,所述方法还包括:
确定所述出错块的类型,所述出错块的类型包括:标准块和第一备用块。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述确定所述出错块的类型的步骤,包括:
将所述出错块的地址和所有备用块的标志位进行一一比对;
如果比对成功,则对比对成功的备用块进行标志位检测,确定所述出错块的类型;
如果比对失败,则确定所述出错块的类型为标准块。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述对比对成功的备用块进行标志位检测,确定所述出错块的类型的步骤,包括:
如果所述比对成功的备用块的已使用标志位为生效状态,则确定所述出错块的类型为第一备用块;
如果所述比对成功的备用块的已使用标志位为未生效状态,则确定所述出错块的类型为标准块。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将所述出错块标记为坏的步骤,包括:
设置所述出错块标志位中表示出错块为坏的标志位生效。
6.一种NAND-FLASH的块修复装置,其特征在于,所述装置包括:
第一确定模块,用于对NAND-FLASH进行块检测,确定所述NAND-FLASH中的出错块;
第一修复模块,用于当所述出错块为第一备用块时,将所述出错块标记为坏,并利用第二备用块对所述出错块进行修复,其中,所述第一备用块表示已经使用过的备用块,所述第二备用块表示未使用过的备用块;
第二修复模块,用于当所述出错块为标准块时,用所述第二备用块对所述出错块进行修复。
7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述装置还包括:
第二确定模块,用于确定所述出错块的类型,所述出错块的类型包括:标准块和第一备用块。
8.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,所述第一确定模块,包括:
比对子模块,用于将所述出错块的地址和所有备用块的标志位进行一一比对;
第一确定子模块,用于如果比对成功,则对比对成功的备用块进行标志位检测,确定所述出错块的类型;
第二确定子模块,用于如果比对失败,则确定所述出错块的类型为标准块。
9.根据权利要求8所述的装置,其特征在于,所述第一确定子模块,用于:
如果所述比对成功的备用块的已使用标志位为生效状态,则确定所述出错块的类型为第一备用块;
如果所述比对成功的备用块的已使用标志位为未生效状态,则确定所述出错块的类型为标准块。
10.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述第一修复模块,用于:
设置所述出错块标志位中表示出错块为坏的标志位生效。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京兆易创新科技股份有限公司,未经北京兆易创新科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710136116.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。