[发明专利]一种NAND-FLASH的块修复方法及装置有效

专利信息
申请号: 201710136116.1 申请日: 2017-03-08
公开(公告)号: CN108573735B 公开(公告)日: 2020-12-11
发明(设计)人: 苏志强 申请(专利权)人: 北京兆易创新科技股份有限公司
主分类号: G11C29/00 分类号: G11C29/00;G11C29/44
代理公司: 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 代理人: 苏培华
地址: 100083 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 nand flash 修复 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种NAND-FLASH的块修复方法,其特征在于,所述方法包括:

对NAND-FLASH进行块检测,确定所述NAND-FLASH中的出错块;

当所述出错块为第一备用块时,将所述出错块标记为坏,并利用第二备用块对所述出错块进行修复,其中,所述第一备用块表示已经使用过的备用块,所述第二备用块表示未使用过的备用块;

当所述出错块为标准块时,用所述第二备用块对所述出错块进行修复。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在对NAND-FLASH进行块检测,确定所述NAND-FLASH中的出错块的步骤之后,所述方法还包括:

确定所述出错块的类型,所述出错块的类型包括:标准块和第一备用块。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述确定所述出错块的类型的步骤,包括:

将所述出错块的地址和所有备用块的标志位进行一一比对;

如果比对成功,则对比对成功的备用块进行标志位检测,确定所述出错块的类型;

如果比对失败,则确定所述出错块的类型为标准块。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述对比对成功的备用块进行标志位检测,确定所述出错块的类型的步骤,包括:

如果所述比对成功的备用块的已使用标志位为生效状态,则确定所述出错块的类型为第一备用块;

如果所述比对成功的备用块的已使用标志位为未生效状态,则确定所述出错块的类型为标准块。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将所述出错块标记为坏的步骤,包括:

设置所述出错块标志位中表示出错块为坏的标志位生效。

6.一种NAND-FLASH的块修复装置,其特征在于,所述装置包括:

第一确定模块,用于对NAND-FLASH进行块检测,确定所述NAND-FLASH中的出错块;

第一修复模块,用于当所述出错块为第一备用块时,将所述出错块标记为坏,并利用第二备用块对所述出错块进行修复,其中,所述第一备用块表示已经使用过的备用块,所述第二备用块表示未使用过的备用块;

第二修复模块,用于当所述出错块为标准块时,用所述第二备用块对所述出错块进行修复。

7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述装置还包括:

第二确定模块,用于确定所述出错块的类型,所述出错块的类型包括:标准块和第一备用块。

8.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,所述第一确定模块,包括:

比对子模块,用于将所述出错块的地址和所有备用块的标志位进行一一比对;

第一确定子模块,用于如果比对成功,则对比对成功的备用块进行标志位检测,确定所述出错块的类型;

第二确定子模块,用于如果比对失败,则确定所述出错块的类型为标准块。

9.根据权利要求8所述的装置,其特征在于,所述第一确定子模块,用于:

如果所述比对成功的备用块的已使用标志位为生效状态,则确定所述出错块的类型为第一备用块;

如果所述比对成功的备用块的已使用标志位为未生效状态,则确定所述出错块的类型为标准块。

10.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述第一修复模块,用于:

设置所述出错块标志位中表示出错块为坏的标志位生效。

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