[发明专利]一种NAND-FLASH的块修复方法及装置

说明书

本发明提供了一种NAND‑FLASH的块修复方法及装置，涉及数据存储器技术领域。本发明提供的一种NAND‑FLASH的块修复方法及装置，在检测到出错块之后，会根据出错块的类型进行相应的修复操作，当该出错块为第一备用块时，先将该第一备用块标记为坏，再利用第二备用块对该第一备用块进行修复，这样一来，由于该第一备用块会被标记为坏，因此，即使第一备用块中之前已写入了被修复块的地址，在访问该第一备用块时也会因其坏的标志位而被排除访问，不但避免了对该第一备用块的无效访问，提高了访问效率，而且，避免了对具有相同修复地址的第一备用块和第二备用块的同时访问所造成的访问冲突，保证了利用第二备用块对该第一备用块进行的修复操作能够达到效果，进而使得修复资源不会被浪费。

技术领域

本发明涉及数据存储器技术领域，特别是涉及一种NAND-FLASH的块修复方法及装置。

背景技术

NAND-FLASH存储器，因其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案，因此，NAND-FLASH存储器被广泛采用在个人电脑和电子设备等等。在实际生产过程中，由于制造工艺的缺陷，NAND-FLASH存储器中经常会出现出错块，因此，在制造过程中，会在NAND-FLASH中预先设置一定的备用块作为修复资源。

现有技术中在进行出错块修复的时候，通常是，在检测到出错块之后，利用预留的备用块对出错块进行修复，示例的，在NAND-FLASH的测试阶段，检测到出错块.A，利用预留的备用块.B对该出错块.A进行修复的时候，通常是，将出错块.A的地址01写入备用块.B的地址标志位中，这样通过地址01访问出错块.A，进行操作的时候，由于出错块.A的地址01已经写入了备用块.B中，这样针对出错块.A的访问，都可以在备用块.B上进行，进而达到了修复效果。

发明人在实现本发明的过程中，发现现有技术至少存在如下问题：

如果已经使用过的备用块出现错误，即第一备用块出现错误，现有技术中，会利用未使用过的备用块，即，第二备用块对该第一备用块直接进行修复，这样会出现修复操作无效的问题，例如，当备用块.B出现错误的时候，利用备用块.C对该出错的备用块.B进行修复，具体的，将出错的备用块.B中保存的地址01写入备用块.C中，完成修复操作。但是，这样修复之后，由于出错的备用块.B以及备用块.C中保存的地址都是01，因此，针对地址01进行的访问会在出错的备用块.B以及备用块.C上同时进行，进而产生冲突，导致该访问无法正常进行，使得修复操作不能达到效果，导致修复资源被浪费。

发明内容

鉴于上述问题，提出了本发明以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种NAND-FLASH的块修复方法及装置。

依据本发明的第一方面，提供了一种NAND-FLASH的块修复方法，包括：

对NAND-FLASH进行块检测，确定所述NAND-FLASH中的出错块；

当所述出错块为第一备用块时，将所述出错块标记为坏，并利用第二备用块对所述出错块进行修复；

当所述出错块为标准块时，用所述第二备用块对所述出错块进行修复。

可选的，在对NAND-FLASH进行块检测，确定所述NAND-FLASH中的出错块的步骤之后，所述方法还包括：

确定所述出错块的类型，所述出错块的类型包括：标准块和第一备用块。

可选的，所述确定所述出错块的类型的步骤，包括：

将所述出错块的地址和所有备用块的标志位进行一一比对；

如果比对成功，则对比对成功的备用块进行标志位检测，确定所述出错块的类型；

如果比对失败，则确定所述出错块的类型为标准块。