[发明专利]一种比较器及逐次逼近式模拟数字转换器

权利要求书

1.一种比较器，其特征在于，包括：前置运算放大器、锁存器、电平移位单元及复位单元，其中：

所述前置运算放大器，适于接收输入至所述比较器的待比较信号，根据所述待比较信号及锁存时钟信号，输出一级放大信号；

所述锁存器，包括第一反相电路及第二反相电路，适于接收所述一级放大信号，对所述一级放大信号进行比较，并根据比较结果输出相应的比较结果信号；其中：所述第一反相电路及第二反相电路结构相同，且相互对称地并联连接在参考电源与参考地线之间，所述第一反相电路的信号输入端与所述第二反相电路的信号输出端连接，所述第一反相电路的信号输出端与所述第二反相电路的信号输入端连接；

所述电平移位单元，包括对称设置的第一电平移位电路及第二电平移位电路，所述第一电平移位电路与所述复位单元及所述第一反相电路耦接，适于在所述比较器从复位状态跳转至比较状态时，导通所述第一反相电路；所述第二电平移位电路与所述复位单元及所述第二反相电路耦接，适于在所述比较器从复位状态跳转至比较状态时，导通所述第二反相电路；

所述复位单元，包括对称设置的第一复位电路及第二复位电路，所述第一复位电路与所述第一电平移位电路及所述第一反相电路耦接，所述第二复位电路与所述第二电平移位电路及第二反相电路耦接，适于在所述锁存时钟信号为低电平时，复位所述电平移位单元与所述第一反相电路及第二反相电路耦接所形成的节点的电压。

2.如权利要求1所述的比较器，其特征在于，所述第一电平移位电路包括第三PMOS管，所述第二电平移位电路包括：第四PMOS管；其中：所述第三PMOS管与所述第一反相电路耦接，所述第四PMOS管与所述第二反相电路耦接。

3.如权利要求2所述的比较器，其特征在于，所述第一复位电路包括第四NMOS管，所述第二复位电路包括第五NMOS管；其中：所述第四NMOS管与所述第一反相电路耦接，所述第五NMOS管与所述第二反相电路耦接。

4.如权利要求3所述的比较器，其特征在于，所述前置运算放大器，包括：

第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一PMOS管及第二PMOS管，其中：

所述第一NMOS管的栅极与所述锁存时钟信号耦接，所述第一NMOS管的源极与参考地线耦接，所述NMOS管的漏极与所述第二NMOS管及第三NMOS管的源极耦接；

所述第二NMOS管的栅极与第一待比较信号耦接，所述第二NMOS管的源极分别与所述第一NMOS管的漏极及所述第三NMOS管的源极耦接，所述第二NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的漏极耦接，且所述第二NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的漏极的交点作为输出第一一级放大信号的节点；

所述第三NMOS管的栅极与第二待比较信号耦接，所述第三NMOS管的源极与所述第一NMOS管的漏极及所述第二NMOS管的源极耦接，所述第三NMOS管的漏极与所述第二PMOS管的漏极耦接，且所述第三NMOS管的漏极与所述第二PMOS管的漏极的交点作为输出第二一级放大信号的节点；

所述第一PMOS管的栅极与所述锁存时钟信号耦接，所述第一PMOS管的源极与所述参考电源耦接，所述第一PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极耦接；

所述第二PMOS管的栅极与所述锁存时钟信号耦接，所述第二PMOS管的源极与所述参考电源耦接，所述第二PMOS管的漏极与所述第三NMOS管的漏极耦接。