[发明专利]半导体元件在审
| 申请号： | 201710138028.5 | 申请日： | 2017-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN107665871A | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 郑安皓;刘峻昌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体元件，其特征在于，包含：
一第一保护层于一互连结构之上；
一第一重分布线导孔延伸贯穿于该第一保护层中的一开口以电连接该互连结构，其中该第一重分布线导孔包含一第一传导材料；以及
一重分布线于第一保护层之上并电连接该第一重分布线导孔，其中该重分布线包含一第二传导材料异于该第一传导材料，并且该重分布线以一平行于该第一保护层的一顶面的方向延伸越过该第一重分布线导孔。
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