[发明专利]带用于射频吸收器的屏障的半导体封装

权利要求书

1.半导体封装，包括：

壳体，其包括第一隔室和第二隔室，所述第一隔室和第二隔室彼此密封；

集成器件裸片，其布置在所述第一隔室内；以及

射频RF吸收器，其布置在所述第二隔室内，并且设置用于吸收从所述集成器件裸片射出的RF波，

其中，所述第二隔室包括一个或多个通气孔，并且

其中，在所述壳体中不布置吸氢材料。

2.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述射频RF吸收器包括铁磁材料。

3.如权利要求1所述的半导体封装，还包括在所述第一隔室与第二隔室之间的分隔件，其中所述分隔件将所述第一隔室和第二隔室彼此分开。

4.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述壳体包括：

盖；以及

基板，所述集成器件裸片安装到所述基板，所述盖安装到所述基板、在所述集成器件裸片上方。

5.如权利要求4所述的半导体封装，其中所述盖还包括所述一个或多个通气孔。

6.如权利要求5所述的半导体封装，其中每个通气孔限定了在0.1mm²至3.0mm²范围内的面积。

7.如权利要求4所述的半导体封装，其中所述盖包括：

罩；以及

分隔件，

其中所述第二隔室布置在所述罩与所述分隔件之间，以及

其中所述第一隔室布置在所述分隔件与所述基板之间。

8.如权利要求7所述的半导体封装，其中所述壳体还包括框架，并且其中所述分隔件、所述框架和所述基板配合以限定所述第一隔室。

9.如权利要求8所述的半导体封装，其中所述框架位于所述分隔件与所述基板之间，其中所述框架的底面附接到所述基板，其中所述框架的顶面与所述分隔件或所述罩耦合，并且其中所述第一隔室部分地由所述框架的一个或多个内部分隔件限定，所述第一隔室具有多个子隔室。

10.如权利要求7所述的半导体封装，其中所述罩包括金属，并且所述分隔件包括塑料。

11.半导体封装，所述半导体封装包括：

盖组件，所述盖组件包括

盖，其包括罩和分隔件，以及

射频RF吸收器，其中所述罩和所述分隔件配合以在所述罩与所述分隔件之间限定隔室，所述射频RF吸收器布置在所述隔室内；

基板；

框架，其布置在所述盖与所述基板之间，其中所述盖、框架和基板配合以限定空腔，其中所述盖安装到所述基板和所述框架中的至少一个，并且其中所述隔室和所述空腔彼此密封；以及

集成器件裸片，其布置在所述空腔中，其中所述集成器件裸片安装到所述基板，

其中在所述隔室或空腔内不布置吸气材料；以及

其中所述射频RF吸收器设置用于吸收从所述集成器件裸片射出的RF波，并且其中所述罩包括贯通其中的一个或多个通气孔。

12.如权利要求11所述的半导体封装，其中所述罩被定形以形成凹部，所述分隔件的至少一部分布置在所述凹部内。

13.如权利要求11所述的半导体封装，其中所述分隔件将所述隔室和空腔彼此分开。