[发明专利]带用于射频吸收器的屏障的半导体封装有效
申请号: | 201710139456.X | 申请日: | 2017-03-10 |
公开(公告)号: | CN107180825B | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | D·波罗格尼亚 | 申请(专利权)人: | 美国亚德诺半导体公司 |
主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16;H01L23/31 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 射频 吸收 屏障 半导体 封装 | ||
本发明涉及带用于射频吸收器的屏障的半导体封装。本文描述了半导体封装和制造半导体封装的方法。在一些实施方案中,半导体封装包括壳体,壳体包括第一隔室和第二隔室,第一隔室和第二隔室彼此分开。半导体封装还可以包括布置在第一隔室内的集成器件裸片,以及布置在第二隔室内的射频(RF)吸收器。
技术领域
本公开总地涉及带用于射频(RF)吸收器的屏障的半导体封装及其制造方法。
背景技术
各种类型的半导体封装可以包括极高频RF集成器件裸片(例如,发射器或接收器前端),其会导致干扰封装外的电子部件或以其它方式扰乱封装外的电子部件。封装盖可用于收容从封装内,诸如例如从具有高频器件裸片(例如,E带或其它高频器件)的封装内射出的RF发射物。虽然这些盖能够有益地屏蔽周围的电路部件免于电磁干扰,但是盖也会导致封装内的不可预期的且电子破坏性的空腔谐振,这会扰乱其中的电路部件。为解决这些可能的问题,RF吸收器可布置在封装内以减弱和/或吸收由封装内的器件裸片射出的RF波。形成一些RF吸收器的部分的材料可以在密封环境中释放诸如氢气和硫(以及其他气体)之类的气体。这种除气可能损坏各种类型的集成器件裸片中的有源部件。为了保护器件裸片免于除气,可以在封装的空腔内部设置吸气材料。
然而,吸气材料是昂贵的,并且它们的氢去除效率会随时间降低。结果,随着吸气材料的引入,大量高频器件的生产变得非常昂贵。而且,随着吸气材料的氢去除效率降低,从RF吸收器释放的氢可能最终污染空腔内的电介质材料并使其中的电路部件劣化。因此,持续需要一种低成本封装外壳,其有效地将外部部件屏蔽于来自封装的RF发射物,并且还防止由于来自RF吸收器的放气导致的污染。
发明内容
本文描述的系统、方法和装置各自具有若干方面,其中没有单个方面单独负责其期望的属性。在不限制由所附权利要求表示的本发明的范围的情况下,下面简要描述一些特征。在考虑该描述之后,特别是在阅读标题为“一些实施方案的详细描述”的部分之后,将理解本文所描述的系统、方法和设备的有利特征。
在一些方面中,公开了具有射频(RF)吸收器的半导体封装。半导体封装可以包括壳体,壳体包括第一隔室和第二隔室,第一隔室和第二隔室彼此分开;集成器件裸片,其布置在所述第一隔室内;以及射频(RF)吸收器,其布置在所述第二隔室内。
在一些方面中,公开了用于半导体封装的盖组件。该盖组件可以包括盖以及射频(RF)吸收器。盖可以包括罩和分隔件。罩和分隔件可以配合以在罩与分隔件之间限定隔室,RF吸收器可以布置在所述隔室内。
在一些方面中,公开了具有盖的半导体封装,盖具有隔室。半导体封装可以包括基板、框架、安装到基板上的集成器件裸片以及安装到框架和基板中的至少一个上、在集成器件裸片上方的盖。盖、框架和基板可以至少部分地限定空腔,集成器件裸片布置在该空腔内。盖可以包括形成于其中的隔室,隔室可由分隔件与该空腔隔开。
在本申请中描述的主题的一个或多个实施方案的细节在附图和以下描述中阐述。本申请中公开的任何布置或实施方案的任何特征、组件或细节是可组合的和可修改的,以形成落入本公开的精神和范围内的多个新的布置和实施方案。根据说明书、附图和权利要求书,其他特征、方面和优点也将变得显而易见。注意,以下附图的相对尺寸可能未按比例绘制。
附图说明
现在将参考以下附图描述实施方案,附图通过示例而非限制的方式提供。相同的附图标记表示相同或功能类似的元件。
图1是根据一些实施方案的具有两个单独的空腔的半导体封装的示意性侧剖视图。
图2是根据一些实施方案的半导体封装的分解侧剖视图。
图3A是根据另一实施方案的具有定形盖的半导体封装的示意性侧剖视图。
图3B是根据另一实施方案的具有平坦盖的半导体封装的示意性侧剖视图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美国亚德诺半导体公司,未经美国亚德诺半导体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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