[发明专利]磁传感器

权利要求书

1.一种磁传感器，其特征在于，具备：

磁阻效应元件，其位于作为基板的一面的第1面上，并具有沿着作为所述第1面的面内方向之一的第1方向的灵敏度轴；

定位用软磁性体，其相对于所述磁阻效应元件非接触地设置；和

一对软磁性体，其沿着所述第1方向并排设置，并分别向远离所述第1面的方向延伸，

所述一对软磁性体与所述定位用软磁性体磁连接，

所述磁阻效应元件具备靠近所述一对软磁性体中的一方的第1磁阻效应元件和靠近所述一对软磁性体中的另一方的第2磁阻效应元件，

所述定位用软磁性体具备规定了相对于所述第1磁阻效应元件的相对位置的第1最近部位、和规定了相对于所述第2磁阻效应元件的相对位置的第2最近部位，

所述第1最近部位和所述第2最近部位由沿所述第1面的法线方向竖立的直线状的面形成，所述直线状的面对置设置，

构成所述一对软磁性体的两个软磁性体经由连结部而形成为一体，所述定位用软磁性体的宽度大于该连结部沿着所述第1方向延伸的宽度，

所述第1磁阻效应元件和所述第2磁阻效应元件位于所述定位用软磁性体的下方。

2.根据权利要求1所述的磁传感器，其中，

在向所述第1面的投影面中，所述定位用磁性体的所述第1最近部位形成为与所述第1磁阻效应元件重叠，所述定位用磁性体的所述第2最近部位形成为与所述第2磁阻效应元件重叠。

3.根据权利要求1所述的磁传感器，其中，

所述定位用软磁性体在所述第1面的法线方向上的长度为5μm以下。

4.根据权利要求1所述的磁传感器，其中，

构成所述一对软磁性体的两个软磁性体相对于所述第1面分别沿着所述第1方向彼此反向倾斜。

5.根据权利要求1所述的磁传感器，其中，

构成所述一对软磁性体的两个软磁性体的距离随着远离所述第1面而增大。

6.根据权利要求1所述的磁传感器，其中，

绝缘性的非磁性体位于所述一对软磁性体与所述第1面之间，所述一对软磁性体包含位于所述非磁性体的面上的软磁性材料的堆积物。

7.根据权利要求6所述的磁传感器，其中，

所述定位用软磁性体的所述第1最近部位以及所述第2最近部位由所述非磁性体覆盖。

8.根据权利要求1所述的磁传感器，其中，

构成所述一对软磁性体的两个软磁性体各自在与所述定位用软磁性体磁连接的一侧的相反侧，还具备从构成所述一对软磁性体的两个软磁性体分别在所述第1方向上延伸的延伸部。

9.根据权利要求1所述的磁传感器，其中，

所述第1磁阻效应元件以及所述第2磁阻效应元件具有磁化被固定于沿着所述第1方向的一方的方向的固定磁性层、和磁化方向根据外部磁场而变化的自由磁性层，

所述第1磁阻效应元件的所述固定磁性层的磁化方向和所述第2磁阻效应元件的所述固定磁性层的磁化方向一致。

10.根据权利要求9所述的磁传感器，其中，

所述第1磁阻效应元件和所述第2磁阻效应元件串联连接而构成半桥电路。

11.根据权利要求10所述的磁传感器，其中，

所述磁传感器具备两个所述半桥电路，所述两个半桥电路构成全桥电路。

12.根据权利要求11所述的磁传感器，其中，

所述全桥电路包含的两个所述第1磁阻效应元件以及两个所述第2磁阻效应元件在所述第1方向上并排设置。