[发明专利]磁传感器有效

专利信息
申请号: 201710139926.2 申请日: 2017-03-09
公开(公告)号: CN107229022B 公开(公告)日: 2019-12-27
发明(设计)人: 尾花雅之;安藤秀人;今井佑贵;山中邦夫;堀田京子;宫武亨;小林俊宏;池田健一郎;野口贵史 申请(专利权)人: 阿尔卑斯阿尔派株式会社
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09
代理公司: 11021 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 李逸雪
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 传感器
【说明书】:

本发明的课题在于提供一种进行了结构上的改善使得具有良好的传感器灵敏度的磁传感器容易适当发挥本来的功能的磁传感器。磁传感器(10)具备:第1磁阻效应元件(21),位于基板(15)的第1面(15A)上,并具有沿着作为第1面(15A)的面内方向之一的第1方向的灵敏度轴;定位用软磁性体(40b),规定第1最近部位(40E1)相对于第1磁阻效应元件(21)的相对位置,并相对于第1磁阻效应元件(21)非接触地设置;和第1软磁性体(35)以及第2软磁性体(36),沿着第1方向并排设置,分别向远离第1面(15A)的方向延伸,第1软磁性体(35)以及第2软磁性体(36)分别与定位用软磁性体(40b)磁连接。

技术领域

本发明涉及磁传感器,特别是涉及具有将垂直方向的磁场分量变换为水平方向的软磁性体的磁传感器。

背景技术

使用了磁阻效应元件的磁传感器例如能够组装到便携式电话机、智能电话等移动式设备,作为用于检测地磁的地磁传感器来使用。地磁传感器构成为,能够分别检测在水平面内正交的X轴方向以及Y轴方向和与水平面正交的垂直方向(Z轴方向)的磁场分量。

专利文献1中,记载了能够检测垂直方向的磁场分量的磁传感器。但是,专利文献1所记载的磁传感器需要将使垂直方向的磁场变换为水平方向的磁场的软磁性体的纵横比(高度尺寸/宽度尺寸)增大至1.5倍~4倍程度。因此,在从外部施加了强磁场的情况等下,软磁性体的磁化方向容易朝向高度方向,此外,在软磁性体的高度方向上产生剩余磁化。由此软磁性体的高度方向上的BH曲线的磁滞增大,产生由于磁传感器的偏移(offset)的发生等而导致传感器灵敏度下降的问题。

作为能够解决这样的问题的磁传感器,在专利文献2中记载了一种磁传感器,该磁传感器具有形成于基板的磁阻效应元件、和向从所述基板的形成有所述磁阻效应元件的面离开的方向延伸的一对软磁性体,在将在所述基板的所述面内正交的方向设为第1方向和第2方向时,所述磁阻效应元件具有磁化方向被固定的固定磁性层、和磁化方向根据外部磁场而变化的自由磁性层,且所述固定磁性层的磁化方向朝向所述第1方向,并且在一对所述软磁性体的下表面侧,所述磁阻效应元件设置在一对所述软磁性体的所述第1方向的中心位置和所述磁阻效应元件的所述第1方向的中心位置不重叠的位置,一对所述软磁性体在所述第1方向上彼此分离并对置,并且在一对所述软磁性体的下表面侧进行了连接。

根据专利文献2所记载的磁传感器,设置一对软磁性体,并形成从一个软磁性体的上表面侧经由下表面侧而到达另一个软磁性体的上表面侧的磁路。因此,即使在施加了较强的外部磁场的情况下,一对软磁性体的磁化方向也难以朝向高度方向,此外,因为在一对软磁性体的高度方向上难以产生剩余磁化,所以能够抑制一对软磁性体的磁滞的增大。因此,能够通过一对软磁性体将垂直方向的磁场分量变换为基板面内方向,并且抑制磁传感器的偏移的发生等所引起的灵敏度的下降从而得到良好的传感器灵敏度。

在先技术文献

专利文献

专利文献1:国际公开第2011/068146号

专利文献2:JP特开2015-203647号公报

发明内容

发明要解决的课题

如上所述,专利文献2所记载的磁传感器由于在一对软磁性体的高度方向上难以产生剩余磁化,因此能够具有良好的传感器灵敏度。但是,如后所述,在专利文献2所记载的磁传感器中,一对软磁性体与磁阻效应元件的相对位置的变化对施加于磁阻效应元件的磁场的强度造成的影响较大。因此,对于专利文献2所记载的磁传感器而言,很显然为了使该磁传感器的本来的功能适当发挥,需要各构成要素的形状精度、配置精度十分高。

本发明的目的在于提供一种进行了结构上的改善使得专利文献2所记载的具有良好的传感器灵敏度的磁传感器容易适当发挥本来的功能的磁传感器。

用于解决课题的手段

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