[发明专利]半导体装置及功率放大电路有效
| 申请号： | 201710141157.X | 申请日： | 2017-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN107483024B | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 大部功;吉田茂;井手野馨 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H03F3/19 | 分类号： | H03F3/19;H03F3/21;H01L27/082 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 俞丹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 功率 放大 电路 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
半导体基板，其具有相对的第一及第二主面；
第一双极晶体管，其形成在所述半导体基板的所述第一主面侧，具有第一发射极层；以及
第二双极晶体管，其形成在所述半导体基板的所述第一主面侧，具有第二发射极层、以及从该第二发射极层沿所述第一主面的法线方向进行层叠的电阻层，
不包括电阻层的所述第一双极晶体管和包括电阻层的所述第二双极晶体管均安装于所述半导体基板上。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
第一及第二双极晶体管是异质结双极晶体管。
3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
所述第一双极晶体管中，从所述第一发射极层沿所述法线方向层叠第一接触层；
所述第二双极晶体管中，从所述第二发射极层沿所述法线方向依次层叠第二接触层、隧穿势垒层、所述电阻层以及第三接触层。
4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
所述半导体基板和所述第一、第二以及第三接触层以GaAs为主要成分。
5.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
所述第一及第二发射极层和所述隧穿势垒层以InGaP为主要成分。
6.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
所述电阻层以AlGaAs为主要成分。
7.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
所述隧穿势垒层的厚度为1nm以上10nm以下。
8.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
所述隧穿势垒层的厚度为1nm以上3nm以下。
9.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
所述半导体基板在俯视所述第一主面时具有近似矩形形状，
使所述半导体基板的长边方向为[0-11]方向、短边方向为[011]方向、所述法线方向为[100]方向，
使所述第一接触层的[100]方向侧的面的[0-11]方向的长度为L1C(μm)、
所述第三接触层的[100]方向侧的面的[0-11]方向的长度为L2C(μm)、
所述第一接触层的[100]方向侧的面的[011]方向的长度为W1C(μm)、
所述第三接触层的[100]方向侧的面的[011]方向的长度为W2C(μm)，则
L1C＜L2C
且
W1C＞W2C。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社村田制作所，未经株式会社村田制作所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710141157.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
