[发明专利]半导体装置及功率放大电路

说明书

本发明提供一种在低输出功率及高输出功率时都维持较高的功率附加效率、同时提高可靠性的半导体装置。半导体装置包括：半导体基板，其具有相对的第一及第二主面；第一双极晶体管，其形成在半导体基板的第一主面侧，具有第一发射极层；以及第二双极晶体管，其形成在半导体基板的第一主面侧，具有第二发射极层、以及从该第二发射极层沿第一主面的法线方向进行层叠的电阻层。

技术领域

本发明涉及半导体装置及功率放大电路。

背景技术

便携式电话等移动通信设备中，为了放大向基站发送的射频(RF：RadioFrequency)信号的功率而使用功率放大电路。功率放大电路中，一般使用功率附加效率及线性优良的异质结双极晶体管(HBT：Heterojunction Bipolar Transistor)来作为放大元件。例如，专利文献1中公开了一种在B～AB类模式下工作的第一HBT(Q1)与在C类模式下工作的第二HBT(Q2)在同一半导体芯片上并联连接的功率放大电路。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开第2008-35487号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

专利文献1所公开的结构在低输出功率时仅HBT(Q1)工作，伴随着输出功率的增加，HBT(Q2)的集电极电压上升，从而HBT(Q2)也工作，因此在低输出功率时及高输出功率时都达成高功率附加效率。然而，该结构存在由于高输出功率时HBT(Q2)的集电极电压上升而引起HBT的破坏等的可能性，因此在功率放大电路的可靠性上存在问题。

本发明是鉴于这样的情况而做出的，其目的在于提供一种在低输出功率及高输出功率时都维持较高的功率附加效率、同时提高可靠性的半导体装置。

解决技术问题的技术方案

为了达成这样的目的，本发明的一方面所涉及半导体装置包括：半导体基板，其具有相对的第一及第二主面；第一双极晶体管，其形成在半导体基板的第一主面侧，具有第一发射极层；以及第二双极晶体管，其形成在半导体基板的第一主面侧，具有第二发射极层、以及从该第二发射极层沿所述第一主面的法线方向进行层叠的电阻层。

发明效果

根据本发明，能够提供一种在低输出功率时及高输出功率时都维持较高的功率附加效率、同时提高可靠性的半导体装置。

附图说明

图1是作为本发明第一实施方式的半导体装置100A的俯视图。

图2是图1中示出的A-A线剖面图。

图3是作为本发明第一实施方式的半导体装置100A的俯视图。

图4是图3中示出的B-B线剖面图。

图5是图3中示出的C-C线剖面图。

图6是图3中示出的D-D线剖面图。

图7A是将作为本发明第一实施方式的半导体装置100A的制造方法的步骤示出的图。

图7B是将作为本发明第一实施方式的半导体装置100A的制造方法的步骤示出的图。

图7C是将作为本发明第一实施方式的半导体装置100A的制造方法的步骤示出的图。

图7D是将作为本发明第一实施方式的半导体装置100A的制造方法的步骤示出的图。

图7E是将作为本发明第一实施方式的半导体装置100A的制造方法的步骤示出的图。

图7F是将作为本发明第一实施方式的半导体装置100A的制造方法的步骤示出的图。