[发明专利]一种锐角金属图形剥离方法有效
申请号: | 201710141637.6 | 申请日: | 2017-03-10 |
公开(公告)号: | CN106876253B | 公开(公告)日: | 2019-06-04 |
发明(设计)人: | 陈一峰 | 申请(专利权)人: | 成都海威华芯科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027 |
代理公司: | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人: | 徐丰 |
地址: | 610029 四川省成都市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 锐角 金属 图形 剥离 方法 | ||
本发明涉及半导体制作技术领域,具体涉及一种锐角金属图形剥离方法,包括以下步骤:S1、在锐角缺损的金属图形上涂覆聚酰亚胺层并烘干;S2、在所述聚酰亚胺层上涂覆光刻胶,采用光刻显影定义出聚酰亚胺层的打开位置;S3、根据所述打开位置,采用刻蚀方式打开聚酰亚胺层,定义出锐角位置,锐角位置的两个自由端与锐角缺损的金属图形部分重叠;S4、在所述锐角位置再次沉积金属;S5、去除光刻胶,得到具有完整锐角的金属图形。本发明在传统lift‑off工艺的基础上,进行二次金属沉积,由于第二次锐角位置的两个自由端仅与锐角缺损的金属图形部分重叠,区域较小,有利于湿法药水进入锐角处,便于光刻胶去除,更易于完成具有完整锐角的金属图形。
技术领域
本发明属于半导体制造技术领域,具体涉及一种锐角金属图形剥离方法。
背景技术
金属lift-off工艺由于剥离精度高、形貌好、控制容易,已广泛地应用于半导体制造业。整个lift-off工艺为:(1)在衬底上涂覆一层光刻胶,把掩膜版图案在衬底表面上准确对准,通过曝光将图形转移到光刻胶涂层上,并通过显影把掩膜版图案复刻到光刻胶上,得到图形化衬底,如图1(a)所示;(2)采用金属蒸发、溅射或化学气相淀积薄膜工艺,在图形化衬底上沉积一层金属1,如图1(b)所示;(3)去除光刻胶,得到金属图形,如图1(c)所示。
在整个半导体工艺中,为了节约成本,提高效率,在去除光刻胶时,一般采用物理撕除(tape- peeling)结合湿法的方式快速去除光刻胶。在金属图形存在锐角时,湿法药水不易进入锐角区域,加之物理撕除的引入,极易造成金属图形的锐角缺损,如图4(a)所示。
发明内容
本发明的目的在于提供一种锐角金属图形剥离方法,该夹具可以很好地解决传统lift-off工艺极易造成金属图形缺损,无法得到具有完成锐角的金属图形的问题。
为达到上述要求,本发明采取的技术方案是:提供一种锐角金属图形剥离方法,包括采用lift-off工艺形成锐角缺损的金属图形的步骤,还包括以下步骤:
S1、在锐角缺损的金属图形上涂覆聚酰亚胺层并烘干;
S2、在所述聚酰亚胺层上涂覆光刻胶,采用光刻显影定义出聚酰亚胺层的打开位置;
S3、根据所述打开位置,采用刻蚀方式打开聚酰亚胺层,定义出锐角位置,锐角位置的两个自由端与锐角缺损的金属图形部分重叠;
S4、在所述锐角位置再次沉积金属;
S5、去除光刻胶,得到具有完整锐角的金属图形。
与现有技术相比,本发明具有以下优点:
(1)在传统lift-off工艺的基础上,进行二次金属沉积,由于第二次锐角位置的两个自由端仅与锐角缺损的金属图形部分重叠,区域较小,有利于湿法药水进入锐角处,便于光刻胶去除,更易于完成具有完整锐角的金属图形;
(2)聚酰亚胺作为锐角定义层,容易刻蚀出坡度较缓的表面图形,利于金属爬坡。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解,构成本申请的一部分,在这些附图中使用相同的参考标号来表示相同或相似的部分,本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请,并不构成对本申请的不当限定。在附图中:
图1为lift-off工艺过程中形成的器件结构的剖视图;
图2为本发明方法的流程图;
图3为本发明工艺过程中形成的器件结构的剖视图;
图4(a)为lift-off工艺形成的具有缺损锐角的金属图形的俯视图;图4(b)为聚酰亚胺层打开位置的俯视图;图4(c)为具有完整锐角的金属图形的俯视图。
具体实施方式
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