[发明专利]半导体结构及半导体制造方法有效
| 申请号： | 201710148905.7 | 申请日： | 2017-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN108122855B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 刘承勋;古进誉;王荣德;谢维伦;王家桦;陈正泓;蔡佩杏 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/31 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 | ||
1.一种半导体制造工艺，其特征在于，包括：
提供具有半导体装置的晶片，其中所述晶片具有前侧及与所述前侧相对的后侧，且所述半导体装置具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；
在所述晶片的所述前侧上形成第一密封环；
将所述晶片设置于载体上，以使所述第一密封环安置于所述半导体装置与所述载体之间；以及
将所述晶片设置于所述载体上之后，在所述晶片的所述后侧上形成第二密封环，其中形成所述第二密封环的步骤包括：
在所述晶片的所述后侧上形成导电层；以及
将所述导电层图案化，以形成所述第二密封环。
2.根据权利要求1所述的半导体制造工艺，其特征在于，在形成所述第二密封环之前，更包括：
在所述半导体装置的所述第二表面中形成沟槽，其中所述第二密封环覆盖所述沟槽。
3.根据权利要求1所述的半导体制造工艺，其特征在于，将所述导电层图案化以形成所述第二密封环会形成多个隅角结构，所述多个隅角结构安置于所述第二表面上且位于所述半导体装置的隅角处，其中所述隅角结构是与所述第二密封环形成为同一层且形成于所述半导体装置的所述隅角与所述第二密封环之间。
4.根据权利要求1所述的半导体制造工艺，其特征在于，所述第二密封环是多密封环环圈图案，所述多密封环环圈图案包括环绕一个密封环环圈的至少另一密封环环圈。
5.根据权利要求4所述的半导体制造工艺，其特征在于，将所述导电层图案化以形成所述第二密封环会形成多个隅角结构，所述多个隅角结构安置于所述第二表面上且位于所述半导体装置的隅角处，其中所述隅角结构是与所述第二密封环形成为同一层且形成于所述半导体装置的所述隅角与所述第二密封环的所述多密封环环圈图案之间。
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