[发明专利]一种基于浮空阱触发的低触发电压SCR结构

权利要求书

1.一种基于浮空阱触发的低触发电压SCR结构，包括：

第一种导电类型硅衬底；

第一种导电类型硅衬底上形成的第二种导电类型深阱区；

第二种导电类型深阱区上形成的相邻接的第二种导电类型阱区和第一种导电类型阱区，所述第二种导电类型阱区内设有与阳极相连的一个第二种导电类型重掺杂区和一个第一种导电类型重掺杂区，所述第一种导电类型阱区内设有与阴极相连的一个第二种导电类型重掺杂区和一个第一种导电类型重掺杂区，所述第二种导电类型阱区和第一种导电类型阱区之间跨接一个第一种导电类型重掺杂区，所述跨接的第一种导电类型重掺杂区和第二种导电类型阱区内第一种导电类型重掺杂区之间的硅表面上设有一个栅氧化层区、且栅氧化层区上覆盖有多晶硅；

其特征在于，所述第二种导电类型深阱区上形成有另一个第一种导电类型阱区，所述另一个第一种导电类型阱区邻接于所述第二种导电类型阱区的另一侧，该第一种导电类型阱区中设有一个第一种导电类型重掺杂区，且该第一种导电类型重掺杂区通过金属层与所述多晶硅相连。

2.按权利要求1所述基于浮空阱触发的低触发电压SCR结构，其特征在于，所述SCR结构中，所述第二种导电类型阱区、第一种导电类型阱区、以及阱区内的第一种导电类型重掺杂区与第二种导电类型重掺杂区的版图均呈条状分布，所述栅氧化层区的版图呈条状分布或者按比例分割分布。