[发明专利]一种半导体器件的检测结构及其制备方法、检测方法

权利要求书

1.一种半导体器件的检测结构，其特征在于，所述检测结构包括：

基底；

至少两个有源区，位于所述基底上，相邻的所述有源区之间通过浅沟槽隔离结构隔离；

覆盖层，位于所述有源区的表面并且所述覆盖层为经蚀刻去除其表面的残留物的覆盖层，并且在去除所述残留物之后所述检测结构经过了自对准硅化物工艺处理；

互连结构，横跨并电连接相邻的所述有源区；

测试端，分别与相互电连接的所述有源区中的任意两个电连接。

2.根据权利要求1所述的检测结构，其特征在于，所述互连结构包括：

接触孔，位于所述有源区上并且贯穿所述覆盖层；

金属层，电连接相邻的所述有源区上的所述接触孔。

3.根据权利要求1所述的检测结构，其特征在于，所述测试端包括：

测试接触孔，位于所述有源区上并且贯穿所述覆盖层；

测试焊盘，位于所述测试接触孔上。

4.根据权利要求1所述的检测结构，其特征在于，所述覆盖层包括氮化物层。

5.根据权利要求1所述的检测结构，其特征在于，相互电连接的所述有源区构成蛇形弯曲的形状。

6.根据权利要求1所述的检测结构，其特征在于，在所述浅沟槽隔离结构上形成有掩膜层，用于去除所述覆盖层表面的所述残留物。

7.一种半导体器件的检测结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供基底，在所述基底上形成有至少两个有源区，在所述有源区上形成有覆盖层，相邻的所述有源区之间通过浅沟槽隔离结构隔离；

去除所述覆盖层表面的残留物；

执行自对准硅化物工艺；

在相邻的所述有源区上形成互连结构，所述互连结构横跨并电连接相邻的所述有源区；

形成测试端，所述测试端分别与相互电连接的所述有源区中的任意两个电连接。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，形成所述互连结构的方法包括：

形成位于所述有源区上并且贯穿所述覆盖层的接触孔；

形成电连接相邻的所述有源区上的所述接触孔的金属层。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，形成所述测试端的方法包括：

形成位于所述有源区上并且贯穿所述覆盖层的测试接触孔；

形成位于所述测试接触孔上的测试焊盘。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述覆盖层包括氮化物层。

11.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，相互电连接的所述有源区构成蛇形弯曲的形状。

12.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，去除所述覆盖层表面的所述残留物的方法包括：

在所述浅沟槽隔离结构上形成掩膜层，以覆盖所述浅沟槽隔离结构；

去除所述覆盖层表面的所述残留物。

13.一种基于权利要求1至6之一所述检测结构的检测方法，包括：

在所述测试端之间施加电压；

测试相互电连接的所述有源区之间的电阻；

将所述电阻与预先设定的安全电阻进行比较，若低于安全电阻则所述半导体器件合格。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述检测结构还包括在所述浅沟槽隔离结构上形成的掩膜层，用于去除所述覆盖层表面的所述残留物；

所述检测方法还包括：

当所述电阻高于所述安全电阻，则所述覆盖层被蚀刻，去除所述残留物时所述掩膜层存在对准误差。