[发明专利]一种阵列基板以及制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底基板；

多个第一薄膜晶体管和多个第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管形成于所述衬底基板的上方；所述第一薄膜晶体管的有源层为低温多晶硅，所述第二薄膜晶体管的有源层为氧化物半导体；所述第一薄膜晶体管位于所述阵列基板的周边电路区，所述第二薄膜晶体管位于所述阵列基板的显示区；

所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极位于不同层，且所述第一薄膜晶体管的源漏电极和所述第二薄膜晶体管的源漏电极位于同层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

多个电容结构；

其中，所述电容结构的第一电极与所述第一薄膜晶体管的栅极同层设置，所述电容结构的第二电极与所述第二薄膜晶体管的栅极同层设置。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底基板上依次设置有缓冲层、所述第一薄膜晶体管的有源层、第一绝缘层、所述第一薄膜晶体管的栅极、第二绝缘层、所述第二薄膜晶体管的栅极、第三绝缘层、所述第二薄膜晶体管的有源层、所述第一薄膜晶体管的源漏电极以及所述第二薄膜晶体管的源漏电极。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第三绝缘层包括叠层设置的氮化硅层和氧化硅层；其中所述第三绝缘层包括的氧化硅层与所述第二薄膜晶体管的有源层接触。

5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二薄膜晶体管的有源层和所述第二薄膜晶体管的源漏电极之间设置有刻蚀阻挡层；

所述刻蚀阻挡层设置有过孔，所述第二薄膜晶体管的源漏电极通过所述过孔与所述第二薄膜晶体管的有源层连接。

6.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二薄膜晶体管的有源层上设置有刻蚀阻挡层；

所述第二薄膜晶体管的源漏电极的部分区域与所述第二薄膜晶体管的有源层直接接触。

7.根据权利要求5或6所述的阵列基板，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的材料包括氧化硅。

8.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管的源漏电极以及所述第二薄膜晶体管的源漏电极上设置有保护钝化层。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述保护钝化层的材料包括氧化硅。

10.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述保护钝化层包括叠层设置的氮化硅层和氧化硅层；其中所述氧化硅层与所述第一薄膜晶体管的源漏电极以及所述第二薄膜晶体管的源漏电极接触。

11.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，

所述第三绝缘层中所述氮化硅层的厚度范围为50～400nm。

12.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，

所述第三绝缘层中所述氧化硅层的厚度范围为30～200nm。

13.根据权力要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述第二薄膜晶体管的有源层的厚度为20～100nm。

14.根据权利要求5或6所述的阵列基板，其特征在于，

所述刻蚀阻挡层的厚度为50～250nm。

15.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一薄膜晶体管为底栅结构，所述第二薄膜晶体管为底栅结构；或者所述第一薄膜晶体管为底栅结构，所述第二薄膜晶体管为顶栅结构；或者所述第一薄膜晶体管为顶栅结构，所述第二薄膜晶体管为顶栅结构。

16.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-15中任一项所述的阵列基板。

17.根据权利要求16所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括有机发光显示面板或液晶显示面板。