[发明专利]一种阵列基板以及制作方法

说明书

技术领域

本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板以及制作方法。

背景技术

金属氧化物薄膜晶体管以金属氧化物半导体层作为薄膜晶体管的有源层材料，由于其具有载流子迁移率高、沉积温度低以及透明度高等光学特性，成为主流的显示面板驱动技术。低温多晶硅薄膜晶体管开关速度高、又如薄膜电路可以做得更薄更小、功耗更低等等。

现有技术中，在周边电路区采用低温多晶硅薄膜晶体管，显示区的像素驱动电路用金属氧化物薄膜晶体管，改善了器件均一性差和漏流等问题。

但是由于目前的制作工艺，在制作金属氧化物薄膜晶体管的同时，制作了低温多晶硅薄膜晶体管，导致两种薄膜晶体管由于各自的最佳膜层厚度不兼容，因此无法实现同时保证金属氧化物薄膜晶体管和低温多晶硅薄膜晶体管的各膜层均处于最佳厚度，难以发挥出最优的性能。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种阵列基板以及制作方法，解决显示面板中同时形成金属氧化物薄膜晶体管和低温多晶硅薄膜晶体管时，两种类型薄膜晶体管各膜层不兼容的问题，提高了显示面板的电学性能和稳定性。

第一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：多个第一薄膜晶体管和多个第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管形成于衬底基板的上方；所述第一薄膜晶体管的有源层为低温多晶硅，所述第二薄膜晶体管的有源层为氧化物半导体；所述第一薄膜晶体管位于所述阵列基板的周边电路区，所述第二薄膜晶体管位于所述阵列基板的显示区；

所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极位于不同层，且所述第一薄膜晶体管的源漏电极和所述第二薄膜晶体管的源漏电极位于同层。

第二方面，本发明实施例还提供了一种显示面板，包括第一方面所述的阵列基板。

第三方面，本发明实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，包括：在衬底基板的上方形成多个第一薄膜晶体管和多个第二薄膜晶体管；

其中，所述第一薄膜晶体管的有源层为低温多晶硅，所述第二薄膜晶体管的有源层为氧化物半导体；所述第一薄膜晶体管位于所述阵列基板的周边电路区，所述第二薄膜晶体管位于所述阵列基板的显示区；

所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极位于不同层，且所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的源漏电极位于同层。

本发明实施例通过提供一种阵列基板及其制作方法，通过将第一薄膜晶体管的栅极和第二薄膜晶体管的栅极位于不同层，同时源漏电极位于同层，可以保证第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的各膜层的厚度处于各自最优的范围，充分发挥第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管在阵列基板中最优的效果，提高了显示面板的电学性能和稳定性。

附图说明

通过阅读参照以下附图说明所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将变得更明显。

图1为本发明实施例提供的一种阵列基板的剖面结构示意图；

图2为本发明实施例提供的又一种阵列基板的剖面结构示意图；

图3为本发明实施例提供的又一种阵列基板的剖面结构示意图；

图4为本发明实施例提供的又一种阵列基板的剖面结构示意图；

图5为本发明实施例提供的又一种阵列基板的剖面结构示意图；

图6为本发明实施例提供的又一种阵列基板的剖面结构示意图；

图7为本发明实施例提供的又一种阵列基板的剖面结构示意图；

图8为本发明实施例提供的又一种阵列基板的剖面结构示意图；

图9为本发明实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图；

图10为本发明实施例提供的一种阵列基板的制备方法的流程图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。