[发明专利]半导体结构的形成方法和藉此形成的半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，包括：

提供一初步结构，该初步结构具有一阵列区，该初步结构包括位于该阵列区中的多个第一叠层；

形成一第一介电层在这些第一叠层上；

形成一第一硬掩模层在该第一介电层上；

形成一绝缘材料在该第一硬掩模层上；

进行一平坦化工艺，该平坦化工艺停止在该第一硬掩模层上；

移除该第一硬掩模层；

形成一第二硬掩模层在该第一介电层上；

形成一第二介电层在该第二硬掩模层上；以及

形成多个接触件穿过该第二介电层、该第二硬掩模层和该第一介电层到达该初步结构；

其中，该初步结构更具有一周边区并包括位于该周边区中的一开口，其中该第一介电层更共形地形成在该开口中，且其中该绝缘材料更填充到该开口的剩余空间中；

这些第一叠层的每一者包括交替叠层的多个导电层和多个绝缘层，且该初步结构更包括：

一存储层，共形地形成在这些第一叠层以及分离这些第一叠层的多个沟道上，并共形地形成在该开口中；

一通道层，共形地形成在该存储层上：

其中该第一介电层是形成在该通道层上并填充到这些沟道的剩余空间中，且这些接触件着陆在该通道层上。

2.根据权利要求1所述的形成方法，其中该初步结构更包括：

一基板，具有位于该阵列区中的一凹入部分；以及

一隔绝层，共形地设置在该凹入部分中；

其中这些第一叠层是形成在该凹入部分中，并通过该隔绝层和该基板隔绝，且其中该开口是在该周边区中直接形成在该基板中。

3.根据权利要求1所述的形成方法，其中该初步结构更包括：

一基板；

一隔绝层，形成在该基板上；

一第二叠层，位于该周边区中，其中这些第一叠层和该第二叠层是连续性地形成在该隔绝层上；其中该开口是用于分离的相邻于该第二叠层的一沟道。

4.根据权利要求1所述的形成方法，其中该第一硬掩模层和该第二硬掩模层是由氮化硅形成。

5.一种半导体结构，具有一阵列区和一周边区，该半导体结构包括：

多个第一叠层，位于该阵列区中；

一开口，位于该周边区中；

一第一介电层，设置在这些第一叠层上，并共形地设置在该开口中；

一第一硬掩模层，共形地设置在该开口中的该第一介电层上；

一绝缘材料，填充到该开口的剩余空间中，该绝缘材料具有一平坦上表面；

一第二硬掩模层，设置在这些第一叠层上的该第一介电层上，并设置在该开口中的该绝缘材料的该平坦上表面上；

一第二介电层，设置在该第二硬掩模层上；以及

多个接触件，穿过该第二介电层、该第二硬掩模层和该第一介电层。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其中这些第一叠层的每一者包括交替叠层的多个导电层和多个绝缘层，且该半导体结构更包括：

一存储层，共形地设置在这些第一叠层以及分离这些第一叠层的多个沟道上，并共形地设置在该开口中；

一通道层，共形地设置在该存储层上：

其中该第一介电层是设置在该通道层上并填充到这些沟道的剩余空间中，且这些接触件着陆在该通道层上。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，更包括：

一基板，具有位于该阵列区中的一凹入部分；以及

一隔绝层，共形地设置在该凹入部分中；

其中这些第一叠层是设置在该凹入部分中，并通过该隔绝层和该基板隔绝，且其中该开口是在该周边区中直接形成在该基板中。

8.根据权利要求6所述的半导体结构，更包括：

一基板；

一隔绝层，设置在该基板上；

一第二叠层，位于该周边区中，这些第一叠层和该第二叠层是连续性地设置在该隔绝层上；

其中该开口是用于分离的相邻于该第二叠层的一沟道。