[发明专利]显示像素排布结构、显示面板及显示面板的制备方法有效
申请号: | 201710154115.X | 申请日: | 2017-03-15 |
公开(公告)号: | CN106960863B | 公开(公告)日: | 2019-06-14 |
发明(设计)人: | 王永志;熊志勇 | 申请(专利权)人: | 上海天马有机发光显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
地址: | 201201 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 像素 排布 结构 面板 制备 方法 | ||
本发明公开显示像素排布结构、显示面板及显示面板的制备方法,该显示像素排布结构包括:平行排列的像素行,每个像素行包括重复排布的像素单元,相同颜色的像素单元不相邻,每个像素单元包括四个第一子像素和一个第二子像素,像素单元为四边形,且第一子像素分布在四边形的四个顶角位置,第二子像素位于四边形的中心;在每个像素单元中,第一子像素和第二子像素的像素颜色相同;以位于相邻两个像素行的相邻四个像素单元为像素组,且相邻四个像素单元彼此共用一个第一子像素组成白色子像素;以像素组中的第二子像素所界定的区域为显示像素区域。本发明的显示像素排布结构能够提升像素的分辨率和改善工艺。
技术领域
本发明涉及显示的技术领域,更具体地,涉及一种显示像素排布结构、显示面板及显示面板的制备方法。
背景技术
在面板显示技术中,有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示技术与传统的液晶显示(LCD)技术不同,具有自发光的特性,有机发光二极管采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板,具有响应速度快、视角广、色彩丰富、功耗低及耐高低温等众多优点而成为当前业界的重点发展技术。OLED显示面板,是在驱动电路接受外界信号后,通过控制薄膜晶体管的工作状态,供给反射阳极预设的理想电位,使反射阳极与半透明阴极之间形成电势差,电子和空穴分别由阴极和阳极注入到发光材料层,从而激发材料实现发光效果。
为了提高OLED显示面板的显示分辨率,提升其显示品质,现有技术是在TFT(ThinFilm Transistor)基板上,通过高精度的对位系统和精细掩模板(Mask)制作工艺实现对RGB像素(由红、绿、蓝三种像素组合而成)的蒸镀。然而,随着对显示面板分辨率的要求越来越高,对Mask蒸镀的制作工艺要求也就越来越高;并且,显示面板分辨率越高,RGB像素的开口率越低,造成达到目标亮度所需的功耗越大。同时,高分辨率技术对像素蒸镀的对位和张网等工艺也提出了更大的挑战,易发生如图1所示的混色偏位等问题。这些问题不仅使得面板分辨率提升变得异常困难,还大大降低了产品的产出良率。
如图1所示,为现有技术的显示面板100中包括红色子像素101、绿色子像素102、蓝色子像素103及白色子像素104排序的示意图,其中,红色子像素101、绿色子像素102和蓝色子像素103构成像素单元,并且,红色子像素101、绿色子像素102和蓝色子像素103在显示面板上成阵列排布,同行像素上相邻两个像素单元之间设置有一个白色子像素104。而每个白色子像素104是由一个红色子像素、一个绿色子像素、一个蓝色子像素通过调节得到。通过在显示面板像素单元之间设置白色子像素可以提升显示面板的亮度,同时还可以有效地降低显示面板的功耗,进而提升显示面板的显示效果。并且现有技术的此种技术方案还是会受制于掩膜板制作工艺的限制,通过每个掩膜板开孔只能蒸镀一个子像素,在显示面板上需要蒸镀较多的子像素,掩膜板上制备如此多开孔,且要保证掩膜板开孔与子像素保持一致的排布也是异常困难的。
在现有技术的显示面板中,随着显示面板分辨率的提高,RGB三色子像素开口率会降低,对于显示面板来讲,达到目标亮度所需的功耗就越大,还可能大大降低了产品的产出良率。而基于图1中所示的现有像素排布设计,随着显示面板分辨率越来越高,在显示面板上排布的子像素越来越密集,这样的话,蒸镀像素所使用的掩膜板上也需要相应地设计尺寸更小的掩膜板开孔,这就对掩膜板的制作工艺要求越来越高。
因此,提供一种有效的像素排布方式,降低掩模板制造工艺以及像素蒸镀工艺,并提升像素分辨率的方案是本领域亟待解决的问题。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种显示像素排布结构、显示面板及显示面板的制备方法,解决了现有技术中掩模板制作难度高以及蒸镀子像素易混色的技术问题。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的