[发明专利]制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，所述方法包括：

将聚合物原材料放置在衬底上方，所述聚合物原材料包含：

聚合物前体；

光增感剂；以及

添加剂；

将所述聚合物原材料暴露至辐射以形成介电层；以及

在温度下固化所述介电层，所述添加剂在所述固化期间用作催化剂，所述添加剂为聚醚。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，固化所述介电层是在170℃与小于200℃之间的温度下进行。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，固化所述介电层是在小于170℃的温度下进行。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在170℃下固化所述介电层是进行1小时至2小时之间。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述聚合物前体具有在25%与35%之间的浓度，其中所述光增感剂具有在1%与8%之间的浓度，且其中所述添加剂具有在1%与10%之间的浓度。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述添加剂具有5%的浓度。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述添加剂具有3%的浓度。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述添加剂增大所述聚合物原材料的自由体积。

9.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，所述方法包括：

将混合物分配在衬底上方，所述混合物包含：

聚合物前体；

光增感剂；以及

添加剂，所述添加剂选自由聚乙二醇与聚丙二醇所组成的族群；

将所述混合物暴露至辐射以形成具有开口的保护层；

在170℃与230℃之间的温度下固化所述保护层，所述添加剂在所述固化期间用作催化剂；以及

在所述保护层上方且在所述开口中形成重布线层。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述添加剂包含聚乙二醇。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述聚乙二醇具有600的分子量。

12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述添加剂包含聚丙二醇。

13.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述添加剂包含酯。

14.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，所述方法包括：

将管芯附着至衬底；

在所述衬底上方形成通孔；

在所述管芯及所述通孔上方形成包封体，所述包封体接触所述通孔的侧壁及所述管芯的侧壁；

在所述管芯、所述通孔、及所述包封体上方形成聚合物层，包括：

在所述管芯、所述通孔、及所述包封体上方安置聚合物原材料，所述聚合物原材料包含聚合物前体、光增感剂、及添加剂；

将所述聚合物原材料图案化以形成聚合物材料，所述图案化包括将所述聚合物原材料暴露至辐射；以及

在小于230℃的温度下固化所述聚合物材料，所述固化在所述聚合物层中形成超过98%的环化；以及

在形成所述聚合物层之后，在所述聚合物层上方形成重布线层。

15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述固化在所述聚合物层中形成100%的环化。

16.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，在固化之后，所述聚合物层包含所述添加剂。

17.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述聚合物前体包含聚酰胺酸酯。

18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，所述聚合物层具有大于3.4 GPa的杨氏模量。