[发明专利]制造半导体装置的方法

说明书

本发明的实施例提供一种制造半导体装置的方法，包括将聚合物原材料混合物放置在衬底上方。所述聚合物原材料可包含聚合物前体、光增感剂、及添加剂。将所述聚合物原材料混合物暴露至辐射以形成介电层，并在约150℃与约230℃之间的温度下固化所述聚合物原材料混合物。

技术领域

本发明的实施例涉及一种制造半导体装置的方法。

背景技术

半导体行业已由于各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的不断提高而经历了快速成长。在大多数情况下，集成密度的此种提高是由于最小特征大小的不断减小(例如，使半导体工艺节点朝亚20nm(sub-20nm)节点缩小)，此使得更多组件能够集成到给定区域中。由于对微型化、更高速度及更大带宽以及更低功耗及延迟的需求，已出现对半导体管芯的更小且更具创造性的封装技术的需要。

随着半导体技术的进一步推进，经堆叠及结合的半导体装置已作为一种有效替代而出现，以进一步减小半导体装置的实体大小。在经堆叠半导体装置中，例如逻辑电路、存储电路、处理器电路等有源电路至少部分地制作在单独衬底上，且然后实体地及电性地结合在一起以形成功能装置。此种结合工艺利用精密技术，且期望得到各种改善。

发明内容

根据本发明的实施例，制造半导体装置的方法包括将聚合物原材料混合物放置在衬底上方。所述聚合物原材料可包含聚合物前体、光增感剂、及添加剂。将所述聚合物原材料混合物暴露至辐射以形成介电层，且在约150℃与约230℃之间的温度下固化所述聚合物原材料混合物。

附图说明

通过结合附图阅读以下具体实施方式，会最佳地理解本公开内容的各个方面。应注意，根据行业的标准惯例，各种特征未按比例绘制。实际上，为论述清晰起见，所述各种特征的尺寸可任意增大或减小。

图1说明根据某些实施例的通孔的形成；

图2说明根据某些实施例的第一半导体装置；

图3说明根据某些实施例的第一半导体装置及第二半导体装置的放置；

图4说明根据某些实施例的通孔、第一半导体装置、及第二半导体装置的包封；

图5说明根据某些实施例的重布线保护层的形成；

图6A至图6E进一步说明根据某些实施例的重布线保护层的形成；

图7说明根据某些实施例的重布线结构的形成；

图8A至图8B进一步说明根据某些实施例的重布线结构的形成；

图9说明根据某些实施例的通孔的暴露；

图10说明根据某些实施例的封装的结合。

具体实施方式

以下公开内容提供诸多不同实施例或实例，以用于实作本发明的不同特征。以下阐述组件及排列的具体实例以简化本公开内容。当然，这些仅为实例而并不旨在进行限制。举例来说，在以下说明中在第二特征上方或上形成第一特征可包括其中所述第一特征与所述第二特征直接接触的实施例，且也可包括其中可在所述第一特征与所述第二特征之间形成额外特征以使得所述第一特征与所述第二特征可不直接接触的实施例。另外，本公开内容可在各种实例中重复使用参考编号及/或字母。此种重复使用是为了简单及清晰，但其本身并不表明所述各种实施例及/或所述配置之间的关系。

此外，在本文中，为易于说明，可使用空间相对性用语，例如“在…之下(beneath)”、“在…下面(below)”、“下方的(lower)”、“在…上方(above)”、“上方的(upper)”等来阐述图中所说明的组件或特征与另一(其他)组件或特征的关系。所述空间相对性用语旨在除图中所示取向以外还包括所述装置在使用或操作中的不同取向。设备还可具有其他取向(旋转90度或其他取向)，且本文中所用的空间相对性用语可相应地进行解释。