[发明专利]一种半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括MOS器件区，在所述半导体衬底上形成层间介电层；其中，在所述MOS器件区的半导体衬底上形成有栅极结构，所述层间介电层包括形成在所述半导体衬底表面上的第一层间介电层以及覆盖所述第一层间介电层以及所述栅极结构的第二层间介电层；

在所述层间介电层中形成第一接触孔开口，其中，所述第一接触孔开口分别露出所述MOS器件区的半导体衬底中预定形成源区和漏区的区域表面；

在从所述第一接触孔开口中露出的所述源区和所述漏区的区域表面形成保护层；

对露出的所述源区和所述漏区的区域进行预非晶化离子注入；

在所述第二层间介电层中形成第二接触孔开口，所述第二接触孔开口露出所述栅极结构的部分顶面；

去除所述保护层。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述保护层形成在所述第一接触孔开口的侧壁和底部。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述第二接触孔开口的方法包括以下步骤：

形成第一光刻胶层，以填充所述第一接触孔开口并覆盖所述第二层间介电层的表面；

图案化所述第一光刻胶层，以形成图案化的第一光刻胶层，所述图案化的第一光刻胶层定义有所述第二接触孔开口的图案；

以所述图案化的第一光刻胶层为掩膜，刻蚀所述第二层间介电层，停止于所述栅极结构的顶面，以形成所述第二接触孔开口；

去除所述第一光刻胶层。

4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，使用灰化的方法和/或湿法刻蚀的方法去除所述第一光刻胶层。

5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述MOS器件区包括PMOS器件区和NMOS器件区中的至少一个。

6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述MOS器件区包括PMOS器件区和NMOS器件区，所述第一接触孔开口分别露出所述PMOS器件区的半导体衬底中预定形成源区和漏区的区域表面以及露出所述NMOS器件区的半导体衬底中预定形成源区和漏区的区域表面。

7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，在形成所述第一接触孔开口之后，形成所述保护层之前，还包括以下步骤：

先对所述PMOS器件区进行源/漏离子注入，以在所述PMOS器件区的所述半导体衬底中形成源区和漏区，再对所述NMOS器件区进行源/漏离子注入，以在所述NMOS器件区的所述半导体衬底中形成源区和漏区，或者，先对所述NMOS器件区进行源/漏离子注入，以在所述NMOS器件区的所述半导体衬底中形成源区和漏区，再对所述PMOS器件区进行源/漏离子注入，以在所述PMOS器件区的所述半导体衬底中形成源区和漏区。

8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，在形成所述保护层之后，所述预非晶化离子注入之前，还包括：进行退火处理，以活化所述源区和所述漏区中的掺杂杂质。

9.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在去除所述保护层的步骤之后，还包括以下步骤：

在所述第一接触孔开口的底部和侧壁上依次沉积金属层和覆盖层；

进行退火处理，以在所述源区和所述漏区的表面形成金属硅化物；

形成导电层填充所述第一接触孔开口，以形成第一接触孔。