[发明专利]一种半导体器件的制造方法

说明书

本发明提供一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括MOS器件区，在所述半导体衬底上形成层间介电层；在所述层间介电层中形成第一接触孔开口，其中，所述第一接触孔开口分别露出所述MOS器件区的半导体衬底中预定形成源区和漏区的区域表面；在从所述第一接触孔开口中露出的所述源区和所述漏区的区域表面形成保护层；对露出的所述源区和所述漏区的区域进行预非晶化离子注入；去除所述保护层。本发明的制造方法，使预非晶化离子注入的深度更加均一，质量更好，有利于改善后续金属硅化物的均匀性，进而降低接触电阻，提高器件的性能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种半导体器件的制造方法。

背景技术

随着半导体器件集成度不断增大，半导体器件相关的临界尺寸不断减小，相应的出现了很多问题，如器件源漏区的表面电阻和接触电阻相应增加，导致器件的响应速度降低，信号出现延迟。因此，低电阻率的互连结构成为制造高集成度半导体器件的一个关键要素。

为了降低器件源漏区的接触电阻，引入了金属硅化物的工艺方法，通常金属硅化物形成在器件源漏区的表面上，所述金属硅化物具有较低的电阻率，可以显著减小源漏区的接触电阻。金属硅化物和自对准金属硅化物及形成工艺已被广泛地用于降低器件源极和漏极的表面电阻和接触电阻，从而降低电阻电容延迟时间。

后金属硅化物工艺是指形成接触孔开口后再通过自对准硅化物工艺形成金属硅化物，通常后金属硅化物工艺需要进行预非晶化离子注入(PAI)以降低肖特基势垒高度(SBH)，从而提高器件性能，因此预非晶化离子注入的质量的好坏例如注入深度的均一性等对于器件的影响很大，另外，后金属硅化物工艺中通常先形成露出源区和漏区表面的接触孔开口，再通过光刻工艺和刻蚀工艺形成露出栅极结构的部分顶面的接触孔开口，再形成该接触孔开口后往往通过灰化工艺将光阻去除，然而在灰化的过程中，露出的源区和漏区表面的预非晶化离子注入后的非晶硅很容易被氧化，进而阻碍后续金属硅化物(例如，TiSi)的形成，使源/漏区的接触电阻增大，从而影响器件的性能。

因此，有必要提出一种新的半导体器件的制造方法，以解决上述技术问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

针对现有技术的不足，本发明提供一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括MOS器件区，在所述半导体衬底上形成层间介电层；

在所述层间介电层中形成第一接触孔开口，其中，所述第一接触孔开口分别露出所述MOS器件区的半导体衬底中预定形成源区和漏区的区域表面；

在从所述第一接触孔开口中露出的所述源区和所述漏区的区域表面形成保护层；

对露出的所述源区和所述漏区的区域进行预非晶化离子注入；

去除所述保护层。

进一步，所述保护层形成在所述第一接触孔开口的侧壁和底部。

进一步，在所述MOS器件区的半导体衬底上形成有栅极结构，所述层间介电层包括形成在所述半导体衬底表面上的第一层间介电层以及覆盖所述第一层间介电层以及所述栅极结构的第二层间介电层，其中，在所述预非晶化离子注入之后，去除所述保护层之前，还包括以下步骤：

在所述第二层间介电层中形成第二接触孔开口，所述第二接触孔开口露出所述栅极结构的部分顶面。

进一步，形成所述第二接触孔开口的方法包括以下步骤：

形成第一光刻胶层，以填充所述第一接触孔开口并覆盖所述第二层间介电层的表面；