[发明专利]介质层和后栅极工艺器件的制备方法

权利要求书

1.一种介质层的制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底上形成有一沟槽；

在所述衬底上形成一连续的介质层，所述介质层覆盖所述衬底的表面和所述沟槽的底部和侧壁，所述介质层和所述衬底的热膨胀系数不同；

去除位于所述衬底表面上的介质层并保留位于所述沟槽内的介质层，包括：在所述衬底上覆盖一牺牲层，所述牺牲层覆盖所述介质层并填充所述沟槽；执行平坦化工艺，以暴露出位于所述衬底表面上的介质层，并保留位于所述沟槽内的牺牲层，以及降低保留在沟槽内的牺牲层的高度，以暴露出沟槽顶部的拐角区域上的介质层；执行刻蚀工艺，去除暴露出的位于衬底表面上的和位于拐角区域上的介质层；以及，去除位于所述沟槽内的牺牲层；以及，

执行退火工艺。

2.如权利要求1所述的介质层的制备方法，其特征在于，在执行所述平坦化工艺之前，还包括：

在所述牺牲层上涂覆一填充层，所述填充层的表面相对于所述牺牲层的表面更为平整。

3.如权利要求2所述的介质层的制备方法，其特征在于，所述平坦化工艺包括：

对所述填充层和所述牺牲层执行回刻工艺，直至暴露出位于所述衬底表面上的介质层，保留位于所述沟槽内的牺牲层，所述填充层和所述牺牲层的刻蚀速率的差值不超过10nm/s。

4.如权利要求2所述的介质层的制备方法，其特征在于，所述填充层的材质为光刻胶。

5.如权利要求1所述的介质层的制备方法，其特征在于，所述牺牲层的材质为光刻胶。

6.如权利要求5所述的介质层的制备方法，其特征在于，所述平坦化工艺为回刻工艺。

7.如权利要求1所述的介质层的制备方法，其特征在于，所述牺牲层为抗反射层。

8.如权利要求1所述的介质层的制备方法，其特征在于，所述牺牲层为有机绝缘层。

9.如权利要求1所述的介质层的制备方法，其特征在于，所述介质层和所述衬底的热膨胀系数的差异大于2。

10.如权利要求1所述的介质层的制备方法，其特征在于，所述衬底为一基底。

11.如权利要求1所述的介质层的制备方法，其特征在于，所述衬底包括基底和形成于所述基底上的膜层。

12.一种后栅极工艺器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底上形成有一隔离层，在所述隔离层中形成有一栅极沟槽；

在所述衬底上形成一连续的介质层，所述介质层覆盖所述隔离层的表面和所述栅极沟槽的底部和侧壁，所述介质层和所述隔离层的热膨胀系数不同；

去除位于所述隔离层表面上的介质层，并保留位于所述栅极沟槽内的介质层，包括：在所述隔离层上覆盖一牺牲层，所述牺牲层覆盖所述介质层并填充所述栅极沟槽；执行平坦化工艺，以暴露出位于所述隔离层表面上的介质层，并保留位于所述栅极沟槽内的牺牲层，以及降低保留在栅极沟槽内的牺牲层的高度，以暴露出栅极沟槽顶部的拐角区域上的介质层；执行刻蚀工艺，去除暴露出的位于隔离层表面上的和位于拐角区域上的介质层；以及，去除位于所述栅极沟槽内的牺牲层；以及，

执行退火工艺，并在所述栅极沟槽内形成一栅电极。

13.如权利要求12所述的后栅极工艺器件的制备方法，其特征在于，所述栅极沟槽的形成方法包括：

在所述衬底上形成一伪栅极结构，在所述伪栅极结构的侧壁上形成有一侧墙；

在所述伪栅极结构上覆盖所述隔离层，并对所述隔离层进行平坦化工艺，暴露出所述伪栅极结构；

去除所述伪栅极结构并保留所述侧墙，形成所述栅极沟槽。

14.如权利要求13所述的后栅极工艺器件的制备方法，其特征在于，所述侧墙的材质为氮化硅。