[发明专利]介质层和后栅极工艺器件的制备方法

说明书

本发明提供了一种介质层和后栅工艺器件的制备方法，包括，在具有一沟槽的衬底上形成一连续的介质层，介质层覆盖衬底的表面和沟槽的侧壁和底部，且所述介质层和所述衬底的热膨胀系数不同；去除位于衬底表面上的介质层后，再执行退火工艺。由于在执行退火工艺之前，将衬底表面上的介质层去除，使沟槽内的介质层独立存在，避免在退火工艺中所述介质层由于热膨胀现象而产生的应力无法得到释放，从而可防止介质层产生裂纹甚至发生断裂。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种介质层和后栅极工艺器件的制备方法。

背景技术

在半导体制造领域中，通常需在衬底上形成多种膜层后，进而构成半导体器件，然而，各个膜层的制备过程中，其并不一定是形成在一平整的表面上的。

例如，在衬底的表面上形成有凹槽时，则后续淀积在衬底上的介质层会覆盖在所述衬底的表面并且覆盖所述凹槽的侧壁和底部。此时，当对所述介质层执行退火工艺时，以提高所述介质层的品质时，所述介质层中常常会出现裂纹，尤其是在靠近所述凹槽顶部的拐角区域内的介质层极易发生断裂，如此一来，反而会对介质层的品质造成影响。

发明内容

本发明的目的在于提供一种介质层的制备方法，以解决现有的介质层的制备过程中，所述介质层中容易发生裂纹甚至出现断裂的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种介质层的制备方法，包括：

提供一衬底，所述衬底上形成有一沟槽；

在所述衬底上形成一连续的介质层，所述介质层覆盖所述衬底的表面和所述沟槽的底部和侧壁，所述介质层和所述衬底的热膨胀系数不同；

去除位于所述衬底表面上的介质层并保留位于所述沟槽内的介质层；以及

执行退火工艺。

可选的，去除位于所述衬底表面上的介质层的方法，包括：

在所述衬底上覆盖一牺牲层，所述牺牲层覆盖所述介质层并填充所述沟槽；

对所述衬底执行平坦化工艺，暴露出位于所述衬底表面上的介质层，保留位于所述沟槽内的牺牲层；

执行刻蚀工艺，去除暴露出的位于所述衬底表面上的介质层；以及

去除位于所述沟槽内的牺牲层。

可选的，所述平坦化工艺为化学机械研磨工艺。

可选的，在执行所述平坦化工艺之前，还包括：

在所述牺牲层上涂覆一填充层，所述填充层的表面相对于所述牺牲层的表面更为平整。

可选的，所述平坦化工艺包括：

对所述填充层和所述牺牲层执行回刻工艺，直至暴露出位于所述衬底表面上的介质层，保留位于所述沟槽内的牺牲层，所述填充层和所述牺牲层的刻蚀速率的差值不超过10nm/s。

可选的，所述填充层的材质为光刻胶。

可选的，所述牺牲层的材质为光刻胶，此时，所述平坦化工艺可以采用回刻工艺。

可选的，所述牺牲层可以为抗反射层或有机绝缘层。

可选的，所述介质层和所述衬底的热膨胀系数的差异大于2。

可选的，所述衬底为一基底；或者所述衬底包括基底和形成于所述基底上的膜层。

本发明的又一目的在于提供一种后栅工艺器件的制备方法，包括：

提供一衬底，所述衬底上形成有一隔离层，在所述隔离层中形成有一栅极沟槽；