[发明专利]化学机械研磨机台及化学机械研磨制程

说明书

一种化学机械研磨机台及化学机械研磨制程。化学机械研磨机台包含研磨垫、研磨头以及流体喷射装置。研磨头设置在该研磨垫上方，配置以控制晶圆相对研磨垫旋转，以使研磨垫研磨晶圆的表面。流体喷射装置设置在研磨垫上方，配置以对研磨垫喷射流体。流体喷射装置包含条状喷头以及流体供应源。条状喷头具有第一空间以及与第一空间连通的喷射孔，喷射孔沿着条状喷头的延伸方向设置。流体供应源连接条状喷头，且流体供应源配置以提供流体至第一空间中，以使流体自喷射孔射出。

技术领域

本发明实施例是有关于一种机械研磨机台及使用此机械研磨机台的制程，且特别是有关于一种化学机械研磨机台及化学机械研磨制程。

背景技术

半导体集成电路(IC)工业已历经快速成长。在集成电路发展的进程中，随着几何尺寸的减少，功能密度(定义为每晶片面积的互连元件的数量)大体上已获得增加。微缩化过程大体上通过增加生产效率以及降低相关成本的方式提供许多好处。但是，这样的微缩化已增加了处理与制造集成电路的复杂性。为了实现这些进展，在集成电路制造上需要相似的发展。

举例而言，随着半导体集成电路工业已发展到纳米科技制程节点，以追求更高的元件密度、更高的良率与更低的成本，来自制造与设计的挑战均已促使化学机械研磨制程的发展。然而，传统化学机械研磨制程与设备均已无法完全满足各方面需求。

发明内容

依照一实施例，本揭露揭示一种化学机械研磨机台。此化学机械研磨机台包含研磨垫、研磨头以及流体喷射装置。研磨头设置在该研磨垫上方，配置以控制晶圆相对研磨垫旋转，以使研磨垫研磨晶圆的表面。流体喷射装置设置在研磨垫上方，配置以对研磨垫喷射流体。流体喷射装置包含条状喷头以及流体供应源。条状喷头具有第一空间以及与第一空间连通的喷射孔，喷射孔沿着条状喷头的延伸方向设置。流体供应源连接条状喷头，且流体供应源分别配置以提供流体至第一空间中，以使流体自喷射孔射出。依照另一实施例，本揭露揭示一种化学机械研磨制程。此化学机械研磨制程是使用前述的化学机械研磨机台来进行。在此化学机械研磨制程中，放置晶圆在研磨垫上。使晶圆相对研磨垫旋转，以研磨晶圆的表面。利用流体喷射装置对研磨垫喷射流体。

附图说明

从以下结合所附附图所做的详细描述，可对本揭露的态样有更佳的了解。需注意的是，根据业界的标准实务，各特征并未依比例绘示。事实上，为了使讨论更为清楚，各特征的尺寸都可任意地增加或减少。

图1A是绘示依照本揭露的各实施方式的一种化学机械研磨机台的装置示意图；

图1B是绘示依照本揭露的各实施方式的一种流体喷射装置的装置示意图；

图1C是绘示依照本揭露的各实施方式的一种喷射孔的局部剖示图；

图2是绘示依照本揭露的各实施方式的一种盖板的结构示意图；

图3是绘示依照本揭露的各实施方式的一种条状喷头的局部剖示图；

图4是绘示依照本揭露的各实施方式的一种流体喷射装置的装置示意图；

图5是绘示依照本揭露的各实施方式的一种化学机械研磨机台的装置示意图；

图6是绘示依照本揭露的各实施方式的一种化学机械研磨制程的流程图；

图7是绘示依照本揭露的各实施方式的一种化学机械研磨制程的流程图；以及

图8是绘示依照本揭露的各实施方式的一种化学机械研磨制程的流程图。

具体实施方式