[发明专利]使用激光烧蚀的太阳能电池的接触形成

权利要求书

1.一种太阳能电池，包括：

硅衬底；

布置在硅衬底上方的电介质材料；

布置在电介质材料上方的多晶硅或非晶硅层，所述多晶硅或非晶硅层具有交替的P型掺杂区和N型掺杂区、以及多个重铸多晶硅或重铸非晶硅标记；

布置在多晶硅或非晶硅层上方的电介质堆叠；

穿过电介质堆叠的多个导电接触，其中所述多个导电接触中的每个导电接触与多晶硅或非晶硅层中的多个重铸多晶硅或重铸非晶硅标记中的一个对齐，以及其中电介质堆叠包括氮化硅层，以及其中电介质堆叠还包括布置在多晶硅或非晶硅层和氮化硅层之间的二氧化硅层。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中二氧化硅层直接布置在多晶硅或非晶硅层上，以及氮化硅层直接布置在二氧化硅层上。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中硅衬底包括单晶硅。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中电介质材料包括二氧化硅。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其中多晶硅或非晶硅层直接布置在电介质材料上。

6.一种太阳能电池，包括：

硅衬底；

布置在硅衬底上方的多晶硅或非晶硅层，所述多晶硅或非晶硅层包括第一掺杂区和第一掺杂区中的第一重铸多晶硅或重铸非晶硅标记；

布置在硅衬底和多晶硅或非晶硅层之间的电介质膜；

布置在多晶硅或非晶硅层上方的第一电介质层；

穿过第一电介质层并且与第一掺杂区接触的导电接触，该导电接触与第一掺杂区中的第一重铸多晶硅或重铸非晶硅标记对齐；以及其中太阳能电池还包括布置在多晶硅或非晶硅层和第一电介质层之间的第二电介质层，其中第一电介质层包括氮化硅。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其中第二介质层包括直接布置在多晶硅或非晶硅层上的二氧化硅。

8.根据权利要求6所述的太阳能电池，其中电介质膜包括二氧化硅。

9.根据权利要求6所述的太阳能电池，其中多晶硅或非晶硅层还包括第二掺杂区。

10.一种太阳能电池，包括：

硅衬底；

布置在硅衬底上方的多晶硅或非晶硅层；

包括第一电介质层和第二电介质层的电介质堆叠，其中第二电介质层布置在多晶硅或非晶硅层和第一电介质层之间；

穿过电介质堆叠的导电接触，导电接触直接接触多晶硅或非晶硅层中的第一掺杂区中的重铸多晶硅或重铸非晶硅标记；以及其中第一电介质层包括氮化硅，第二电介质层包括直接布置在多晶硅或非晶硅层上的二氧化硅。

11.根据权利要求10所述的太阳能电池，还包括直接布置在硅衬底上的电介质膜，其中多晶硅或非晶硅层直接布置在电介质膜上。

12.根据权利要求11所述的太阳能电池，其中电介质膜包括二氧化硅。

13.根据权利要求10所述的太阳能电池，其中第一掺杂区为P型掺杂区，以及多晶硅或非晶硅层还包括N型掺杂区。