[发明专利]使用激光烧蚀的太阳能电池的接触形成有效
申请号: | 201710165852.X | 申请日: | 2010-10-01 |
公开(公告)号: | CN107134498B | 公开(公告)日: | 2019-06-28 |
发明(设计)人: | 加布里埃尔·哈利;大卫·史密斯;彼得·卡曾斯 | 申请(专利权)人: | 太阳能公司 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/0224;H01L31/068 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 顾丽波;李荣胜 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 激光 太阳能电池 接触 形成 | ||
描述了使用激光的太阳能电池的接触的形成。制造背接触式太阳能电池的方法包括在单晶衬底上方形成聚晶材料层。所述方法还包括在聚晶材料层上方形成电介质材料堆叠。所述方法还包括通过激光烧蚀在电介质材料堆叠中形成多个接触孔,以及在多个接触孔中形成导电接触,其中每个接触孔暴露聚晶材料层的一部分。
本申请是基于申请日为2010年10月1日、申请号为201080054693.2(国际申请号为PCT/US2010/051178)、发明创造名称为“使用激光烧蚀的太阳能电池的接触形成”的中国专利申请的分案申请。
相关申请的交叉引用
本申请要求2009年12月1日提交的美国临时申请No.61/265,652的优先权,该美国临时申请的整体内容通过引用的方式并入本文。
本文中所描述的发明在美国能源部授予的合同号为DE-FC36-07GO17043的政府支持下形成。该政府可以具有该发明中的某些权利。
技术领域
本发明的实施例涉及可再生能源领域,特别地,涉及使用激光的单步无损太阳能电池的接触开口的形成。
背景技术
半导体以及太阳能产业中对电活性区的金属接触形成通常涉及电介质材料(例如,氧化物或氮化物材料)的移除,这些电介质材料的存在可能导致某些活性区电隔离或者钝化。通常实施的方法可能需要若干处理操作,例如掩膜层的沉积、电介质层的选择蚀刻以及掩膜的移除,或者可能需要激光发射以及随后的蚀刻或退火。
附图说明
图1示出了根据本发明实施例的表示制造背接触式太阳能电池的方法中的操作的流程图。
图2A示出了根据本发明实施例的背接触式太阳能电池的制造中与图1的流程图的操作对应的阶段的截面视图。
图2B示出了根据本发明实施例的背接触式太阳能电池的制造中与图1的流程图的操作对应的阶段的截面视图。
图2B’示出了根据本发明实施例的背接触式太阳能电池的制造中与图1的流程图的操作对应的可选择的阶段的截面视图。
图2C示出了根据本发明实施例的背接触式太阳能电池的制造中与图1的流程图的操作对应的阶段的截面视图。
图2D示出了根据本发明实施例的背接触式太阳能电池的制造中与图1的流程图的操作对应的阶段的截面视图。
图3A示出了根据本发明实施例的背接触式太阳能电池的截面视图。
图3B示出了根据本发明另一个实施例的背接触式太阳能电池的截面视图。
图4示出了根据本发明实施例的表示制造背接触式太阳能电池的方法中的操作的流程图。
具体实施方式
本文中描述了使用激光的太阳能电池的接触开口的形成。在以下的描述中,列举了诸如特定处理流程操作之类的许多特定细节,以提供对本发明的实施例的充分理解。对于本领域技术人员而言显而易见的是,可以在没有这些特定细节的情况下实施本发明的实施例。另一方面,为了避免不必要地模糊本发明的实施例,没有详细描述诸如光刻技术之类的公知的制造技术。此外,应该理解的是,附图中所示的各种实施例都是说明性的表示,不是必须按比例绘制。
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