[发明专利]银纳米片修饰的聚丙烯腈纳米柱阵列薄膜SERS衬底的制备方法

权利要求书

1.一种银纳米片修饰的聚丙烯腈纳米柱阵列薄膜SERS衬底的制备方法，其特征在于，包括下列步骤：

（1）将聚丙烯腈溶液浇筑在具有有序纳米竖直孔洞的硅模板上，之后进行烘干，冷却后获得上层的聚丙烯腈膜，即可得到PAN纳米柱有序阵列薄膜；

（2）采用离子溅射方法，将步骤（1）所得到的PAN纳米柱阵列薄膜表面溅射金纳米颗粒，即得到金纳米颗粒溅射的PAN纳米柱阵列薄膜；

（3）将步骤（2）中金纳米颗粒修饰的薄膜与铜片连接在一起置于硝酸银与柠檬酸的混合沉积液中，利用原位池反应在PAN纳米柱表面沉积银纳米片，从而构筑银纳米片修饰的聚丙烯腈纳米柱阵列薄膜SERS衬底。

2.按照权利要求1所述的银纳米片修饰的聚丙烯腈纳米柱阵列薄膜SERS衬底的制备方法，其特征在于：所述聚丙烯腈溶液的浓度为5%-10%质量分数，溶剂为N,N’-二甲基甲酰胺。

3.按照权利要求2所述的银纳米片修饰的聚丙烯腈纳米柱阵列薄膜SERS衬底的制备方法，其特征在于：所述硅模板上的有序纳米竖直孔洞周期为100nm-1500nm，孔洞直径为100nm-800nm，深度为100nm-600nm。

4.按照权利要求3所述的银纳米片修饰的聚丙烯腈纳米柱阵列薄膜SERS衬底的制备方法，其特征在于：所述在烘箱中烘干的温度为60-80℃，烘干的时间为20-30分钟。

5.按照权利要求4所述的银纳米片修饰的聚丙烯腈纳米柱阵列薄膜SERS衬底的制备方法，其特征在于：所述步骤2中的离子溅射为2-5分钟。

6.按照权利要求5所述的银纳米片修饰的聚丙烯腈纳米柱阵列薄膜SERS衬底的制备方法，其特征在于：所述步骤3中的沉积时间为0.5-45分钟。

7. 按照权利要求6所述的银纳米片修饰的聚丙烯腈纳米柱阵列薄膜SERS衬底的制备方法，其特征在于：所述步骤3中硝酸银与柠檬酸的混合沉积液的浓度分别为0.5g/L-4 g/L和0.5 g/L-4 g/L。