[发明专利]透射型靶和设有透射型靶的X射线发生管

权利要求书

1.一种透射型靶，包括：

靶层；和

透射基板，所述透射基板被配置为支撑所述靶层，

其中，所述透射基板包括第一表面和与第一表面相反的第二表面，并且由多晶金刚石形成，

其中，第一表面和第二表面分别具有第一平均晶粒直径和与第一平均晶粒直径不同的第二平均晶粒直径，

其中，所述靶层被支撑在第一表面和第二表面中的一个上，

其中，所述第一表面和第二表面中的一个是第一表面，第一表面和第二表面中的另一个是第二表面，以及

其中，第一平均晶粒直径小于第二平均晶粒直径，使得由于热应力导致的裂缝在所述透射基板中的发展能够被减小。

2.根据权利要求1所述的透射型靶，其中，所述第一平均晶粒直径与所述第二平均晶粒直径的比率为0.75或更低。

3.根据权利要求2所述的透射型靶，其中，所述第一平均晶粒直径与所述第二平均晶粒直径的比率为0.2或更低。

4.根据权利要求1所述的透射型靶，其中，所述第一平均晶粒直径在5μm与50μm之间。

5.根据权利要求1所述的透射型靶，其中，所述第二平均晶粒直径为100μm或更大。

6.根据权利要求1所述的透射型靶，其中，所述透射基板具有在基板厚度方向上从第一表面朝向第二表面延伸的柱形晶粒。

7.根据权利要求1所述的透射型靶，其中，形成所述透射基板的多晶金刚石在基板厚度方向上具有晶粒直径分布，并且

当所述晶粒直径分布在晶粒直径轴上按照采样数量n进行采样时，平均晶粒直径Dm由以下表达式确定：

其中，大于晶粒直径D_i-1且不大于D_i的晶粒直径是D_i，大于晶粒直径D_i-1且不大于D_i的累积表面积是S_i，i是从1到n的整数，晶粒直径D₀是不小于0的实际数字。

8.根据权利要求7所述的透射型靶，其中，平均晶粒直径通过电子背散射衍射法而确定。

9.根据权利要求1所述的透射型靶，其中，所述透射基板是通过经由化学气相沉积法被沉积在晶种基板上并且移除所述晶种基板而形成的自含金刚石，

其中，所述第二表面是所述自含金刚石的生长表面侧一侧的表面，所述第一表面是所述自含金刚石的晶种基板侧表面。

10.根据权利要求1所述的透射型靶，其中，所述靶层含有选自由钨、钽和钼构成的组的至少一种金属材料。

11.根据权利要求10所述的透射型靶，其中，所述靶层含有所选的金属材料的碳化物。

12.根据权利要求1所述的透射型靶，其中，所述透射基板的厚度在0.3mm与3mm之间。

13.根据权利要求1所述的透射型靶，其中，所述靶层的厚度在1μm与12μm之间。

14.一种透射型靶，包括：

靶层；和

透射基板，所述透射基板被配置为支撑所述靶层，

其中，所述透射基板包括第一表面和与第一表面相反的第二表面，并且由多晶金刚石形成，

其中，第一表面和第二表面分别具有第一平均晶粒直径和与第一平均晶粒直径不同的第二平均晶粒直径，

其中，所述靶层被支撑在第一表面和第二表面中的一个上，

其中，所述第一表面和第二表面中的一个是第二表面，第一表面和第二表面中的另一个是第一表面，以及

其中，第一平均晶粒直径大于第二平均晶粒直径，使得由于热应力导致的所述透射基板的变形能够被减小。