[发明专利]显示装置、指纹识别单元以及薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

在基板上先后沉积金属层和作为保护层的铟锌氧化层；

对所述金属层和铟锌氧化层进行刻蚀形成光敏器件的第一、二电极；其中，第一电极包括铟锌氧化层以及覆盖于所述铟锌氧化层下的金属层，第二电极包括铟锌氧化层以及覆盖于所述铟锌氧化层下的金属层；

在所述第一电极之上形成所述光敏器件的光电半导体后，去除第二电极的铟锌氧化层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除第二电极的铟锌氧化层，具体为：

采用湿法刻蚀方法去除未被所述光电半导体覆盖的铟锌氧化层。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述对金属层和铟锌氧化层进行刻蚀后，还包括：

在所述基板上形成开关器件的栅极；以及

在所述形成所述光敏器件的光电半导体后还包括：

沉积覆盖于所述栅极、第一、二电极以及光电半导体上的绝缘层；

在所述栅极的上方，形成覆盖于绝缘层上的所述开关器件的半导体沟道；

在经过绝缘层的构图工艺后，形成连接于所述半导体沟道两端的所述开关器件的源极和漏极；其中，所述漏极电连接至所述第一电极。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述沉积覆盖于所述栅极、第一、二电极以及光电半导体上的绝缘层之前，还包括：

形成覆盖于所述光电半导体上的一层ITO膜。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述形成连接于所述半导体沟道两端的所述半导体开关的源极和漏极后，还包括：

沉积覆盖于所述源极、漏极和金属连接体之上的第一透明介质层；

在经过第一透明介质层的构图工艺后，形成连通所述光电半导体与第二电极之间的ITO膜。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述形成连通所述光电半导体与第二电极之间的ITO膜后，还包括：

沉积覆盖于所述第一透明介质层、ITO膜上的透明树脂层；

在位于所述半导体沟道的上方，形成覆盖于所述透明树脂层上的挡光层；

在所述挡光层、透明树脂层上沉积第二透明介质层。

7.一种薄膜晶体管，包括：基板，其特征在于，还包括：

位于所述基板上的光敏器件的第一、二电极，其中，所述第一电极包括铟锌氧化层以及覆盖于所述铟锌氧化层下的金属层；

所述光敏器件的光电半导体，覆盖于所述第一电极的铟锌氧化层上；

其中，第一、二电极是在对所述金属层和铟锌氧化层进行刻蚀时形成的，且包括铟锌氧化层以及覆盖于所述铟锌氧化层下的金属层的第二电极在所述光电半导体形成后被去除了铟锌氧化层。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：电连接所述光电半导体与第二电极的ITO膜。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：开关器件；所述开关器件包括：栅极、源极、漏极、栅极以及半导体沟道；

其中，所述栅极位于所述基板上绝缘于所述源极、漏极以及半导体沟道，所述半导体沟道连接于所述源极、漏极之间；所述漏极与所述第一电极电连接。

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：位于所述基板上的绝缘层；以及

所述绝缘层包裹于所述栅极、光电半导体、第一、二电极，以及连接所述光电半导体与所述第二电极的ITO膜的外围；

所述源极、漏极、半导体沟道在所述绝缘层之上。