[发明专利]显示装置、指纹识别单元以及薄膜晶体管及其制造方法

说明书

本发明公开了一种显示装置、指纹识别单元以及薄膜晶体管及其制造方法，所述方法包括：在基板上先后沉积金属层和作为保护层的铟锌氧化层；对所述金属层和铟锌氧化层进行刻蚀形成光敏器件的第一、二电极；在所述第一电极之上形成所述光敏器件的光电半导体。本发明的薄膜晶体管在制备过程中，可避免光电半导体下面的电极金属损伤，以提高产品质量和合格率。

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管技术领域，特别是指一种显示装置、指纹识别单元以及薄膜晶体管及其制造方法。

背景技术

随着显示技术的飞速发展，具有指纹识别功能的显示面板已经逐渐普及。目前，为利于显示面板的轻薄化，在显示面板内部通常采用薄膜晶体管的指纹识别单元。

如图1所示，现有的指纹识别单元通常包括具有光电转换性能的光敏器件101，以及开关器件102。光敏器件101的第一电极(或称负电极)与开关器件102的漏极电连接，光敏器件101的第二电极(或称正电极)与参考电压(V_d)数据线电连接；开关器件102的源极连接于数据读取信号线(L_read)，开关器件102的栅极连接于控制信号线(L_gate)。

在应用于指纹识别时，可以通过控制信号线向开关器件102的栅极提供控制信号，控制开关器件102的源极和漏极之间的导通或关断；在源极和漏极导通的情况下，当光敏器件101接收反射光后，产生光电流，光电流可以通过开关器件102的通过源极和漏极被数据读取信号线读取。

由于手指的指纹谷与指纹脊反射光线不一样，导致指纹谷与指纹脊下方的指纹识别单元的光敏器件接收的光线强度不一样，因此输出的电流大小不同；通过识别各指纹识别单元输出的电流，可以获得手指纹路的图像。

光敏器件主要是由具有光电转换功能的半导体(简称光电半导体)构成，比如PIN或PN型半导体，或肖特基型的半导体。目前，在制作包含有光电半导体的薄膜晶体管的过程中，在沉积了一层光电半导体薄膜后的构图工艺中，需对光电半导体进行刻蚀。在光电半导体刻蚀过程中，由于光电半导体薄膜较厚，会增加较多的过刻量，从而容易造成对光电半导体下面的电极金属损伤，出现电极过刻问题。电极金属损伤后，电极的电学连接性能会变差，可能出现断路、导通不良等情况，导致产品质量不可靠，降低产品合格率。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提出一种显示装置、指纹识别单元以及薄膜晶体管及其制造方法，在制备薄膜晶体管的光电半导体刻蚀过程中，避免光电半导体下面的电极金属损伤，以提高产品质量和合格率。

基于上述目的本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法，包括：

在基板上先后沉积金属层和作为保护层的铟锌氧化层；

对所述金属层和铟锌氧化层进行刻蚀形成光敏器件的第一、二电极；其中，第一电极包括铟锌氧化层以及覆盖于所述铟锌氧化层下的金属层，第二电极包括铟锌氧化层以及覆盖于所述铟锌氧化层下的金属层；

在所述第一电极之上形成所述光敏器件的光电半导体后，去除第二电极的铟锌氧化层。

其中，所述去除第二电极的铟锌氧化层，具体为：

采用湿法刻蚀方法去除未被覆盖的铟锌氧化层。

进一步，在所述对金属层和铟锌氧化层进行刻蚀时，还包括：

在所述基板上形成开关器件的栅极；以及

在所述形成所述光敏器件的光电半导体后还包括：

沉积覆盖于所述栅极、第一、二电极以及光电半导体上的绝缘层；

在所述栅极的上方，形成覆盖于绝缘层上的所述开关器件的半导体沟道；