[发明专利]有机发光二极管蒸镀膜补偿的方法

权利要求书

1.一种有机发光二极管蒸镀膜补偿的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S10：将Z值设定为Z₀，Z₀为大于1且小于99的整数；将修正值T设定为与Z₀对应的初始修正值T₀；设定目标膜厚D后从晶振片的初始寿命周期开始进行蒸镀；

S20：获得步骤S10中的实际膜厚d₀，所述实际膜厚d₀与目标膜厚D相同；

S30：进行晶振片的第n个寿命周期蒸镀，获得相应的实际膜厚d_n，若实际膜厚d_n与目标膜厚D满足下列定义式：

其中，n为大于等于1的整数；

D为目标膜厚；

d_n为晶振片的第n个寿命周期的实际膜厚；

Q为1.5％；

则将Z值更改为Z_n，Z_n为大于1且小于99的整数，且Z_n不等于Z₀；

其中，Z_n为晶振片的第n个寿命周期的Z值；

Z₀为晶振片的初始寿命周期的Z值；

并将修正值T更改为与Z_n对应的初始修正值T_n0；

S40：进行晶振片的第n+1个寿命周期蒸镀，直至最后一个寿命周期结束为止。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管蒸镀膜补偿的方法，其特征在于，步骤S30中，若Z₀小于或等于5，则Z_n满足下列定义式：Z_n>Z₀。

3.根据权利要求1所述的有机发光二极管蒸镀膜补偿的方法，其特征在于，步骤S30中，若Z₀大于5，则Z_n满足下列定义式：Z_n<Z₀。

4.根据权利要求1-3中任意一项所述的有机发光二极管蒸镀膜补偿的方法，其特征在于，步骤S30中更改Z值的次数为一次或两次。

5.根据权利要求1-3中任意一项所述的有机发光二极管蒸镀膜补偿的方法，其特征在于，步骤S30中，若实际膜厚d_n与目标膜厚D满足下列定义式：

则将修正值T更改为T_n，所述T_n满足下列定义式：

其中，T_n为晶振片的第n个寿命周期的修正值；

T₀为与Z₀对应的初始修正值。

6.根据权利要求1-3中任意一项所述的有机发光二极管蒸镀膜补偿的方法，其特征在于，步骤S30中，n为小于10的整数。

7.根据权利要求1-3中任意一项所述的有机发光二极管蒸镀膜补偿的方法，其特征在于，步骤S10中，Z₀为2、5、6、7、10、11或17。

8.根据权利要求1-3中任意一项所述的有机发光二极管蒸镀膜补偿的方法，其特征在于，步骤S10中，Z₀为5；步骤S30中，Z₅为6。

9.根据权利要求1-3中任意一项所述的有机发光二极管蒸镀膜补偿的方法，其特征在于，步骤S30中，修改Z值前，修正值T均保持不变。

10.根据权利要求1-3中任意一项所述的有机发光二极管蒸镀膜补偿的方法，其特征在于，所述晶振片的初始寿命周期为0，所述初始寿命周期对应的晶振频率为6Hz。