[发明专利]有机发光二极管蒸镀膜补偿的方法

说明书

本发明涉及一种有机发光二极管蒸镀膜补偿的方法，涉及真空蒸镀技术领域，解决了现有技术中存在的生产过程中可操作性差、需要进行多次参数的更改和生产效率低的技术问题。本发明的方法是通过在晶振片不同的寿命周期蒸镀时，采用不用的Z值，以及相应的调整修正值之后在进行下一个寿命周期的蒸镀，能够使生产过程中需要更改的参数大大减少，并且实际膜厚与晶体管的频率之间的变化趋势趋于线性，使产品的品质更可靠，能够提高产品的合格率和生产效率。

技术领域

本发明涉及真空蒸镀技术领域，特别地涉及一种有机发光二极管蒸镀膜补偿的方法。

背景技术

真空蒸镀有机材料进程，需要对各膜层厚度进行精确管控，才能确保蒸镀出来的器件能够合格。薄薄的一石英圆片，一面全镀，一面镀成钥匙孔形，放在探头夹具内并形成完整的通路，与振荡器相连，通过晶振片上固有频率的变化来监控膜厚。晶振片是根据晶振片固有频率的变化来换算出晶振片上蒸镀有机材料的厚度，当蒸镀膜厚质量远小于晶振片时，晶振片固有频率变化不大，晶振片固有频率变化可以很精确的反应膜厚的变化。但是制程中蒸镀厚膜，晶振片固有频率的变化会受到厚膜的影响，测量精度会越来越低，此时就需要对膜厚进行补偿。

目前最简单的膜厚补偿是单一的使用修正值(Tooling)来进行膜厚补偿，即使测量膜厚满足下列定义式：目标膜厚＝测量膜厚/修正值，例如蒸镀的目标膜厚为实际测量的膜厚只有那么修正值设为80％，才能使蒸镀的膜厚为但是随着检测膜厚的晶振片固有频率降低，目标膜厚真实检测出的膜厚会越来越薄(因为晶振片检测精度越来越低)，即测量膜厚的数值将逐渐变小，因此需要通过测量膜厚的厚度差异(即目标膜厚与测量膜厚之差)并手动增加膜厚，给产品的生产带来很大的困难，同时产品生产效率及良率也会很大影响。

针对随着检测膜厚的晶振片频率而导致的真实膜厚变薄问题，采用通过不断更改修正值的方法来补偿膜厚；

目标膜厚＝测量的膜厚1/修正值1；

目标膜厚＝测量的膜厚2/修正值2；

目标膜厚＝测量的膜厚3/修正值3；

……

在晶振片频率衰减的10个寿命周期(lifetime)里测试膜厚衰减差异修正值，也就是需要使用10个修正值来修正膜厚。

根据膜厚计算公式：

其中，N_q为At切割晶体频率常数，一般为1.688×10¹³Hz·A；

D_q为石英密度，一般为2.648g/cm³；

D_f为膜材密度，有机材料一般为1g/cm³；

Z为材料的Z值；

F_q为欲镀膜的石英晶体的频率；

F_c为已镀膜的石英晶体的频率。

一般情况下，Z默认为1，则可得：

当Z(Z-ratio)为1时，此时没有使用Z值进行膜厚补偿，而膜厚测试仪计算膜厚方式是跟晶振片频率有关，因此是忽略膜厚对晶振片固有频率的影响，因此，检测到的膜厚会越来越薄。

例如Z值(Z-ratio)为1，对应的修正值T为初始修正值，即T₀＝20％，设定蒸镀的目标膜厚开始进行蒸镀：