[发明专利]一种等离子体刻蚀电纺纤维膜SERS基底的制备方法有效
申请号: | 201710169300.6 | 申请日: | 2017-03-21 |
公开(公告)号: | CN107012684B | 公开(公告)日: | 2019-05-17 |
发明(设计)人: | 刘志承;贾露;李洋;张涛;刘亚青;白露;颜照东 | 申请(专利权)人: | 中北大学 |
主分类号: | D06M10/02 | 分类号: | D06M10/02;D04H1/728;G01N21/65 |
代理公司: | 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 | 代理人: | 朱源;李晓娟 |
地址: | 030051 山*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 等离子体 刻蚀 纤维 sers 基底 制备 方法 | ||
1.一种等离子体刻蚀电纺纤维膜SERS基底的制备方法,其特征在于,包括将聚合物与金属银纳米粒子的前驱体结合,通过静电纺丝技术制备出复合纳米纤维膜,然后再通过气体等离子体刻蚀处理复合纳米纤维膜,纤维膜表面的金属银纳米粒子的前驱体被还原成金属银纳米粒子,得到聚合物/金属银纳米粒子复合纤维膜SERS基底;所述金属银纳米粒子的前驱体为AgNO3粉末。
2.根据权利要求1所述的一种等离子体刻蚀电纺纤维膜SERS基底的制备方法,其特征在于,所述制备方法中通过改变金属银纳米粒子的前驱体的含量可以调节纤维膜SERS基底的SERS性能。
3.根据权利要求1所述的一种等离子体刻蚀电纺纤维膜SERS基底的制备方法,其特征在于,所述制备方法中通过改变气体等离子体刻蚀时间和刻蚀功率可以调节纤维膜SERS基底的SERS性能。
4.根据权利要求1或2或3所述的一种等离子体刻蚀电纺纤维膜SERS基底的制备方法,其特征在于,所述制备方法中复合纳米纤维膜是放入等离子体刻蚀机中实现刻蚀处理的;其中,刻蚀处理的工艺参数为:刻蚀过程中气体流量为10 cc/min,压力为100mTorr,刻蚀功率为25W~100W,刻蚀时间为1~8min。
5.根据权利要求1或2或3所述的一种等离子体刻蚀电纺纤维膜SERS基底的制备方法,其特征在于,所述聚合物为聚偏氟乙烯、聚苯乙烯或聚丙烯腈。
6.根据权利要求5所述的一种等离子体刻蚀电纺纤维膜SERS基底的制备方法,其特征在于,优选的,所述聚合物为聚丙烯腈。
7.根据权利要求6所述的一种等离子体刻蚀电纺纤维膜SERS基底的制备方法,其特征在于,所述复合纳米纤维膜的制备方法为:
(1)PAN/AgNO3溶液的配置:将AgNO3粉末溶解在浓度为10wt%的PAN/DMF溶液中,避光搅拌24h;
(2)PAN/AgNO3电纺纤维膜的制备:使用(1)所得到的PAN/AgNO3溶液进行静电纺丝,纺丝工艺参数为:电压15kV,针头到收集板的距离15cm,进料速率500µL/h,纺丝时间1h,得到PAN/AgNO3复合纳米纤维膜。
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